Одиночные MOSFET транзисторы

₅₅₂

Напряжение сток-исток макс.: 600В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (552)

STD5N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.7A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

3.5A

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

45Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.5нКл

Входная емкость:

211пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD5NM60-1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1 Ом

Мощность макс.:

96Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STE70NM60 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 70 А, 600 Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

ISOTOPВ®

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

70А

Мощность макс.:

600Вт

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Chassis Mount

Сообщить о поступлении

STF11NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

450 мОм

Мощность макс.:

25Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

850пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STF15NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 14A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

299 мОм

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

1250пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

STF23NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 19А 0.15 Ом

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

19.5A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

35Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

70нКл

Входная емкость:

2050пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STF2HNK60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

4.8 Ом

Мощность макс.:

20Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

280пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STF34NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

29A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

80.4нКл

Входная емкость:

2785пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STF5N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.7A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

3.7A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом @ 1.85А, 10В

Мощность макс.:

20Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

4.5нКл @ 10В

Входная емкость:

165пФ @ 100В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STF9N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5A TO-220FP

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

5.5A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

780 мОм @ 3А, 10В

Мощность макс.:

20Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

10нКл @ 10В

Входная емкость:

320пФ @ 100В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STFW24N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 18A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-3PF

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1060пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STL13N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

PowerFLAT 8x8

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

420 мОм

Мощность макс.:

55Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

580пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STL13NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

PowerFLAT 8x8

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

385 мОм

Мощность макс.:

90Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

790пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STL18NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

PowerFLAT 8x8

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

2.1A

Сопротивление открытого канала:

310 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STL26NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 19A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

PowerFLAT 8x8

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

2.7A

Сопротивление открытого канала:

185 мОм

Мощность макс.:

125мВт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STP10N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

7.5A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

85Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

13.5нКл

Входная емкость:

400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP11NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10А 90Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

450 мОм

Мощность макс.:

90Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

850пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP20NM60FD Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 45Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

290 мОм

Мощность макс.:

192Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

37нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

-6% Акция

STP21NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 17А 140Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

220 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP23NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 19.5А 150Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

19.5A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

69нКл

Входная емкость:

2100пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"