Одиночные MOSFET транзисторы

₁₃₀₁

Пороговое напряжение включения макс.: 4В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (1301)

FDC8601 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

2.7A

Сопротивление открытого канала:

109 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

5нКл

Входная емкость:

210пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC86244 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2.3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

2.3A

Сопротивление открытого канала:

144 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

6нКл

Входная емкость:

345пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD10AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

10.5 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

37нКл

Входная емкость:

1840пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD120AN15A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 14A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

2.8A

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

65Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

14.5нКл

Входная емкость:

770пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD16AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 50A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

47нКл

Входная емкость:

1874пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD2572 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 29A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

54 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

1770пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD2582 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 21A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

3.7A

Сопротивление открытого канала:

66 мОм

Мощность макс.:

95Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

1295пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD3670 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 34A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

34A

Сопротивление открытого канала:

32 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

80нКл

Входная емкость:

2490пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD3672 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 44А 28 мОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

6.5A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

1710пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD3682 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 32A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

36 мОм

Мощность макс.:

95Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

28нКл

Входная емкость:

1250пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD390N15A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 26А 63Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

26A

Сопротивление открытого канала:

40 мОм

Мощность макс.:

63Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18.6нКл

Входная емкость:

1285пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD5670 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 52A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

52A

Сопротивление открытого канала:

15 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

73нКл

Входная емкость:

2739пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD5680 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

8.5A

Сопротивление открытого канала:

21 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

46нКл

Входная емкость:

1835пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD5690 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 30A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

27 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

1110пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD770N15A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 18A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

77 мОм

Мощность макс.:

56.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

765пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8444 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 145A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

145A

Сопротивление открытого канала:

5.2 мОм

Мощность макс.:

153Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

116нКл

Входная емкость:

6195пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8445 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 70A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

70A

Сопротивление открытого канала:

8.7 мОм

Мощность макс.:

79Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

59нКл

Входная емкость:

4050пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD86110 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

12.5A

Сопротивление открытого канала:

10.2 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

2265пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD86250 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

33нКл

Входная емкость:

2110пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD86326 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

1035пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61748 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"