Одиночные MOSFET транзисторы

674
Напряжение сток-исток макс.: 100В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (674)
IRF5210PBF IRF5210PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 40А 200Вт, 0.06 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
180нКл
Входная емкость:
2700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 144 шт

Внешние склады:
16 619 шт
Цена от:
от 57,90
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 38A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
230нКл
Входная емкость:
2780пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 333 шт

Внешние склады:
5 745 шт
Цена от:
от 52,16
IRF530NPBF IRF530NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14А 88Вт, 0.16 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
37нКл
Входная емкость:
920пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
5 852 шт

Внешние склады:
16 210 шт
Цена от:
от 16,07
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17А 3.8Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
37нКл
Входная емкость:
920пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 762 шт

Внешние склады:
3 800 шт
Цена от:
от 32,22
IRF530PBF IRF530PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14А 88Вт, 0.16 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
88Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
670пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
881 шт

Внешние склады:
3 170 шт
Цена от:
от 33,80
IRF540NPBF IRF540NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33А 140Вт, 0.052 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
44 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
71нКл
Входная емкость:
1960пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
10 247 шт

Внешние склады:
48 360 шт
Цена от:
от 18,40
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33А 3.8Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
44 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
71нКл
Входная емкость:
1960пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 645 шт

Внешние склады:
20 141 шт
Аналоги:
1 924 шт
Цена от:
от 31,52
Акция
IRF540PBF IRF540PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 28А 150Вт, 0.077 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
77 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
1700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
66 шт

Внешние склады:
810 шт
Цена от:
от 96,16
IRF540STRLPBF IRF540STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 28A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
77 мОм
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
1700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
90 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 129,64
IRF540ZLPBF IRF540ZLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36A TO-262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
36A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
26.5 мОм @ 22А, 10В
Мощность макс.:
92Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
63нКл @ 10В
Входная емкость:
1770пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
200 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 142,01
IRF540ZPBF IRF540ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36А 92Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
36A
Сопротивление открытого канала:
26.5 мОм
Мощность макс.:
92Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 002 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 39,46
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.3A 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
7.3A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
1530пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
552 шт

Внешние склады:
4 000 шт
Цена от:
от 63,28
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.3A 8-SOIC
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
8.3A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
18 мОм @ 8.3А, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.9В @ 100 µA
Заряд затвора:
39нКл @ 10В
Входная емкость:
1640пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
920 шт

Внешние склады:
4 400 шт
Цена от:
от 50,48
Акция
IRF8010PBF IRF8010PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80А 260Вт, 0.015 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
260Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
3830пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
352 шт

Внешние склады:
1 150 шт
Цена от:
от 86,27
Акция
IRF9510PBF IRF9510PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 4А 20Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
43Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.7нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
411 шт

Внешние склады:
6 693 шт
Цена от:
от 34,35
IRF9510SPBF IRF9510SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 4A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.7нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
100 шт

Внешние склады:
150 шт
Цена от:
от 68,39
IRF9520NPBF IRF9520NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.8А 48Вт, 0.48 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.8A
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
P-канал
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
288 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 402,92
Акция
IRF9520PBF IRF9520PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.8A. 40Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.8A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
390пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
135 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 61,55
Акция
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 14А 79Вт, 0.2 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
58нКл
Входная емкость:
760пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 452 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 30,18
Акция
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 14A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
58нКл
Входная емкость:
760пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
448 шт

Внешние склады:
16 896 шт
Цена от:
от 33,26
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"