Одиночные MOSFET транзисторы

674
Напряжение сток-исток макс.: 100В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (674)
Акция
IRL2910PBF IRL2910PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 55А 200Вт, 0.026 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
55A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
3700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 039 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 125,60
IRF540ZPBF IRF540ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36А 92Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
36A
Сопротивление открытого канала:
26.5 мОм
Мощность макс.:
92Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 976 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 83,09
IRFR540ZTRLPBF IRFR540ZTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35А 91Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
28.5 мОм
Мощность макс.:
91Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
1690пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 943 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 311 шт
Цена от:
от 45,78
Акция
BSH114,215 BSH114,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 500мА, 0.83Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
500мА
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
4.6нКл
Входная емкость:
138пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 915 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 24,53
Акция
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.7А 1.8Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.7A
Мощность макс.:
1.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 879 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 43,77
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 38A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
230нКл
Входная емкость:
2780пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 773 шт

Внешние склады:
1 775 шт
Цена от:
от 66,46
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17А 3.8Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
37нКл
Входная емкость:
920пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 756 шт

Внешние склады:
600 шт
Цена от:
от 45,52
IRF510PBF IRF510PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5.6А 43Вт, 0.54 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
5.6A
Сопротивление открытого канала:
540 мОм
Мощность макс.:
43Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.3нКл
Входная емкость:
180пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 637 шт

Внешние склады:
50 шт
Цена от:
от 40,97
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 31A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
39 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
1690пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 632 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 56,65
IRFP4468PBF IRFP4468PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 195А 520Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2.6 мОм
Мощность макс.:
520Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
540нКл
Входная емкость:
19860пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 581 шт

Внешние склады:
1 035 шт
Цена от:
от 163,96
Акция
IRFR9120TRPBF IRFR9120TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 5.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
5.6A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
390пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 565 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 49,97
IRF520PBF IRF520PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.2А 60Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
9.2A
Сопротивление открытого канала:
270 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
360пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 525 шт

Внешние склады:
990 шт
Цена от:
от 35,91
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 468 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 107,18
IRFP150NPBF IRFP150NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 39А 140Вт, 0.036 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
1900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 434 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 58,32
BSP296NH6327 BSP296NH6327 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.2А 1.8Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.2A
Мощность макс.:
1.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Наличие:
1 276 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 39,25
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный силовой 100В 12.2мОм 26нКл серия OPTIMOS DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Сопротивление открытого канала:
12.2мОм
Тип транзистора:
N-канальный
Особенности:
силовой
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 221 шт

Внешние склады:
1 250 шт
Цена от:
от 67,53
IRLU120NPBF IRLU120NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.7А 42Вт, 0.27 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
185 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
440пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 216 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 127,25
Акция
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 14А 79Вт, 0.2 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
58нКл
Входная емкость:
760пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 211 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 36,15
IRFP9140NPBF IRFP9140NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 23А 140Вт, 0.117 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
117 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
97нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 190 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 96,94
IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
120A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
6 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 150 µA
Заряд затвора:
170нКл @ 10В
Входная емкость:
6860пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 169 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 113,27
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"