Одиночные MOSFET транзисторы

₆₉

Ток стока макс.: 18A

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3357)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (69)

Акция

IRF7822PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

5500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

572 шт

Цена от:

от 53,28₽

Акция

IRF7842PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 18А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

5 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.25В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

4500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

9 354 шт

Цена от:

от 52,16₽

IRF8736PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18А 2.5Вт, 0.0048 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

4.8 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

2315пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

5 864 шт

Цена от:

от 12,86₽

IRF9Z30PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 18A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

50В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

140 мОм

Мощность макс.:

74Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

39нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF9Z34SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18A 3,7Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

140 мОм

Мощность макс.:

3.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

1100пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 914 шт

Цена от:

от 32,53₽

IRFB4212PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 18A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

72.5 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

550пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFR18N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 18A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

125 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

43нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR18N15DTRLP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

18A

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR18N15DTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 18A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

125 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

43нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR5505PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 18А 57Вт, 0.11 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

57Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

650пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 077 шт

Цена от:

от 26,76₽

IRFU5505PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 18A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

57Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

650пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

PHP18NQ10T,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 18A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

90 мОм

Мощность макс.:

79Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

21нКл

Входная емкость:

633пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

PSMN075-100MSEX Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 18A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

LFPAK33

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

71 мОм

Мощность макс.:

65Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

16.4нКл

Входная емкость:

773пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFD12N06RLESM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 18A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

63 мОм

Мощность макс.:

49Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

485пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4116DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 18A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

8.6 мОм

Мощность макс.:

5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1.4В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

1925пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4116DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 18A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

8.6 мОм

Мощность макс.:

5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1.4В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

1925пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7611DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 18A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

39Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

62нКл

Входная емкость:

1980пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHP18N50C-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 18A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

270 мОм

Мощность макс.:

223Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

76нКл

Входная емкость:

2942пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STD25NF20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

125 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

39нКл

Входная емкость:

940пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STF20N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 18A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

1345пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7164 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"