Одиночные MOSFET транзисторы

58
Ток стока макс.: 3A
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (58)
FQPF5N50 FQPF5N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
1.8 Ом
Мощность макс.:
39Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
610пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF5N90 FQPF5N90 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
2.3 Ом
Мощность макс.:
51Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IXTA3N120 IXTA3N120 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1.2кВ 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
TO-263 (IXTA)
Напряжение сток-исток макс.:
1200В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
4.5 Ом
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
1350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IXTA3N120TRL IXTA3N120TRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 3А 200Вт
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
TO-263 (IXTA)
Напряжение сток-исток макс.:
1200В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
4.5 Ом
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
1350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NDS9407 NDS9407 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
732пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTR3A30PZT1G NTR3A30PZT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.9A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
38 мОм
Мощность макс.:
480мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17.6нКл
Входная емкость:
1651пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NVF3055L108T1G NVF3055L108T1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
440пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI2318DS-T1-E3 SI2318DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 3A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
540пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7439DP-T1-GE3 SI7439DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
1.9Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
135нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 000 шт
Цена от:
от 341,80
SI7898DP-T1-E3 SI7898DP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
1.9Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
4 020 шт
Цена от:
от 68,82
SIHD3N50D-GE3 SIHD3N50D-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
3.2 Ом
Мощность макс.:
69Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
175пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIHU3N50D-GE3 SIHU3N50D-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
3.2 Ом
Мощность макс.:
69Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
175пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STD4NK50Z-1 STD4NK50Z-1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
2.7 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
310пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STD4NK50ZT4 STD4NK50ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
2.7 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD4NK80Z-1 STD4NK80Z-1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
22.5нКл
Входная емкость:
575пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP4NK50ZD STP4NK50ZD Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
2.7 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
310пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU4N80K5 STU4N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
IPAK (TO-251)
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10.5нКл
Входная емкость:
175пФ
Тип монтажа:
Through Hole
TSM3401CX RFG Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
1.25Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
2.7нКл
Входная емкость:
551.57пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
  • 1
  • 2
  • 3
  • Далее
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.43056 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"