Одиночные MOSFET транзисторы

₆₂

Ток стока макс.: 16A

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (8)
Surface Mount (3357)
Through Hole (1862)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (62)

IRFP350LCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 16A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

400В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

300 мОм

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

76нКл

Входная емкость:

2200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

Акция

IRFR3910PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 16А 52Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

115 мОм

Мощность макс.:

79Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

44нКл

Входная емкость:

640пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

93 шт

Цена от:

от 37,00₽

IRFU3910PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 16A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

115 мОм

Мощность макс.:

79Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

44нКл

Входная емкость:

640пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

NTMFS4833NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 16A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

5-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

2 мОм

Мощность макс.:

910мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

88нКл

Входная емкость:

5600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

NTMFS4852NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 16A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

5-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

2.1 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

71.3нКл

Входная емкость:

4970пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

RFD16N05LSM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 16A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

50В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

47 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

80нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

RFD16N05SM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 16A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

50В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

47 мОм

Мощность макс.:

72Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

80нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

RFD16N06LESM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 16A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

47 мОм

Мощность макс.:

90Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

62нКл

Входная емкость:

1350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SI7716ADN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 16A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

13.5 мОм

Мощность макс.:

27.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

846пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SI7812DN-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 16A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

37 мОм

Мощность макс.:

52Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

24нКл

Входная емкость:

840пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SI8406DB-T2-E1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 16A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-Micro Foot[тм]

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

33 мОм

Мощность макс.:

13Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

850mВ

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

830пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SI8416DB-T2-E1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 8В 16A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-Micro Foot[тм]

Напряжение сток-исток макс.:

8В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

13Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

800mВ

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

1470пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SI8483DB-T2-E1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 16A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-Micro Foot[тм]

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

13Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

800mВ

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

1840пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SI8499DB-T2-E1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 16A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-Micro Foot[тм]

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

32 мОм

Мощность макс.:

13Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1.3В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SIHG16N50C-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 16A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247AC

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

68нКл

Входная емкость:

1900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

SIS438DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 16A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

9.5 мОм

Мощность макс.:

27.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.3В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

880пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SPA16N50C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 560В 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

560В

Ток стока макс.:

16A

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

STB16NF06LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 16A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

90 мОм

Мощность макс.:

45Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

345пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

STB22NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 16A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

220 мОм

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

44нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

STP16NF06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 16A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

90 мОм

Мощность макс.:

45Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

345пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"