Одиночные MOSFET транзисторы

3875
Тип транзистора: N-канал
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (3875)
Акция
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 161A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
161A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
4380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
13 863 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 81,71
IRFP4368PBF IRFP4368PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195А 520Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
1.85 мОм
Мощность макс.:
520Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
570нКл
Входная емкость:
19230пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
13 677 шт

Внешние склады:
1 375 шт
Цена от:
от 89,04
FDV303N FDV303N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 680мА, 0.35Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
680мА
Сопротивление открытого канала:
450 мОм
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
2.3нКл
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
13 506 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
44 380 шт
Цена от:
от 3,65
BSS126H6327 BSS126H6327 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0,021А 0.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
021A
Мощность макс.:
0.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Наличие:
13 192 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 12,48
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.4А 1.3Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.4A
Сопротивление открытого канала:
63 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
2.9нКл
Входная емкость:
270пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
12 740 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
134 283 шт
Цена от:
от 10,11
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 0.04А 0.36Вт, 100 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
0.1A
Мощность макс.:
0.36Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
12 621 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 14,69
NDS7002A NDS7002A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.28А 2 Ом, 0.3Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
280мА
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
300мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
12 192 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 6,58
BSS138BK,215 BSS138BK,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.14Вт
Производитель:
NEXPERIA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
360мА
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.6В
Заряд затвора:
0.7нКл
Входная емкость:
56пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
11 303 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 6,14
STD4NK60ZT4 STD4NK60ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4А 70Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
11 155 шт

Внешние склады:
1 450 шт
Аналоги:
17 000 шт
Цена от:
от 19,79
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 86A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
86A
Сопротивление открытого канала:
5.8 мОм
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
2150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
10 989 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
4 433 шт
Цена от:
от 11,81
IRF2807PBF IRF2807PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 82А 200Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
82A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
3820пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
10 862 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 45,57
IRFB7434PBF IRFB7434PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 294Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
1.6 мОм
Мощность макс.:
294Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
324нКл
Входная емкость:
10820пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
10 461 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 55,10
BSS123-7-F BSS123-7-F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 170мА, 0,3Вт
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
170мА
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
300мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
60пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
10 411 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
173 102 шт
Цена от:
от 2,37
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
3980пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
10 162 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 83,19
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 2А 2.1Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
140 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
230пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
9 802 шт

Внешние склады:
2 826 шт
Цена от:
от 17,19
BSS123,215 BSS123,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 150мА, 0.25Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
150мА
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
250мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Входная емкость:
40пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
9 691 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
173 822 шт
Цена от:
от 4,40
IRLHS6242TRPBF IRLHS6242TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 10A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN6-(2x2)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
11.7 мОм
Мощность макс.:
1.98Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
1110пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
9 657 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 16,26
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17А 38Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
370пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
9 487 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 032 шт
Цена от:
от 21,42
2N7002KT1G 2N7002KT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 320мА, 0.3Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
320мА
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
300мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
0.7нКл
Входная емкость:
24.5пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
8 977 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
8 443 шт
Цена от:
от 3,22
IRF3808PBF IRF3808PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 140А 340Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
140A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
330Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
220нКл
Входная емкость:
5310пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
8 967 шт

Внешние склады:
1 140 шт
Цена от:
от 99,10
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"