Одиночные MOSFET транзисторы

₂₂₉

Особенности: Standard

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3357)
Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (229)

FCH104N60F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 37A TO-247

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

37A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

104 мОм @ 18.5А, 10В

Мощность макс.:

357Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

5В @ 250 µA

Заряд затвора:

139нКл @ 10В

Входная емкость:

5950пФ @ 100В

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

11 шт

Цена от:

от 630,32₽

IRF2805STRLPBF Транзистор HEXFET N-канал 55В 135А [D2PAK]

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

135A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

4.7 мОм @ 104А, 10В

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

230нКл @ 10В

Входная емкость:

5110пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

30 шт

Цена от:

от 264,22₽

IRF640NSTRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

18A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

150 мОм @ 11А, 10В

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

67нКл @ 10В

Входная емкость:

1160пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

89 шт

Аналоги:

11 414 шт

Цена от:

от 74,96₽

IRFR5305TRPBF MOSFET P-CH 55V 31A DPAK

Производитель:

VBsemi Semiconductor (Taiwan) Co., Ltd.

Корпус:

D-Pak

Напряжение сток-исток макс.:

55V

Ток стока макс.:

31A (Tc)

Сопротивление открытого канала:

65 mOhm @ 16A, 10V

Мощность макс.:

110W

Тип транзистора:

MOSFET P-Channel, Metal Oxide

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4V @ 250 µA

Заряд затвора:

63nC @ 10V

Входная емкость:

1200pF @ 25V

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

3 543 шт

Цена от:

от 24,84₽

NTP6412ANG MOSFET N-CH 100V 58A TO-220AB

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

100V

Ток стока макс.:

58A (Tc)

Сопротивление открытого канала:

18.2 mOhm @ 58A, 10V

Мощность макс.:

167W

Тип транзистора:

MOSFET N-Channel, Metal Oxide

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4V @ 250 µA

Заряд затвора:

100nC @ 10V

Входная емкость:

3500pF @ 25V

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

974 шт

Цена от:

от 131,30₽

STF6N65K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 5.4A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

5.4A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

1.3 Ом @ 2.8А, 10В

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В @ 50 µA

Заряд затвора:

35нКл @ 10В

Входная емкость:

880пФ @ 50В

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

106 шт

Цена от:

от 213,01₽

Акция

STP45N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 35А 208Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

35A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

78 мОм @ 19.5А, 10В

Мощность макс.:

208Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

5В @ 250 µA

Заряд затвора:

91нКл @ 10В

Входная емкость:

3375пФ @ 100В

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

15 шт

Цена от:

от 1 050,93₽

AOB14N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14A D2PAK

Производитель:

Alpha & Omega Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

14A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

380 мОм @ 7А, 10В

Мощность макс.:

278Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В @ 250 µA

Заряд затвора:

51нКл @ 10В

Входная емкость:

2297пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AOB20S60L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20A TO263

Производитель:

Alpha & Omega Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

20A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

199 мОм @ 10А, 10В

Мощность макс.:

266Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4.1В @ 250 µA

Заряд затвора:

19.8нКл @ 10В

Входная емкость:

1038пФ @ 100В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AOB2500L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 11.5A TO263

Производитель:

Alpha & Omega Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

11.5A(Ta),152A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

6.2 мОм @ 20А, 10В

Мощность макс.:

2.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В @ 250 µA

Заряд затвора:

136нКл @ 10В

Входная емкость:

6460пФ @ 75В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AOB25S65L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 25A TO263

Производитель:

Alpha & Omega Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

25A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

190 мОм @ 12.5А, 10В

Мощность макс.:

357Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

26.4нКл @ 10В

Входная емкость:

1278пФ @ 100В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AOB290L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 18A TO263

Производитель:

Alpha & Omega Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

18A(Ta),140A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

3.2 мОм @ 20А, 10В

Мощность макс.:

2.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4.1В @ 250 µA

Заряд затвора:

126нКл @ 10В

Входная емкость:

9550пФ @ 50В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AOD11S60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A TO252

Производитель:

Alpha & Omega Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

11A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

399 мОм @ 3.8А, 10В

Мощность макс.:

208Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4.1В @ 250 µA

Заряд затвора:

11нКл @ 10В

Входная емкость:

545пФ @ 100В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AOD1N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1.3A TO252

Производитель:

Alpha & Omega Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

1.3A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

9 Ом @ 650mА, 10В

Мощность макс.:

45Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В @ 250 µA

Заряд затвора:

8нКл @ 10В

Входная емкость:

160пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AOT12N30L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 11.5A TO220

Производитель:

Alpha & Omega Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

300В

Ток стока макс.:

11.5A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

420 мОм @ 6А, 10В

Мощность макс.:

132Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В @ 250 µA

Заряд затвора:

16нКл @ 10В

Входная емкость:

790пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

AOT5N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5A TO-220

Производитель:

Alpha & Omega Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

5A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

1.5 Ом @ 2.5А, 10В

Мощность макс.:

104Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В @ 250 µA

Заряд затвора:

19нКл @ 10В

Входная емкость:

620пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

AOTF14N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14A

Производитель:

Alpha & Omega Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

14A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

380 мОм @ 7А, 10В

Мощность макс.:

50Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В @ 250 µA

Заряд затвора:

51нКл @ 10В

Входная емкость:

2297пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

AOTF25S65 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 25A TO220F

Производитель:

Alpha & Omega Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

25A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

190 мОм @ 12.5А, 10В

Мощность макс.:

50Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

26.4нКл @ 10В

Входная емкость:

1278пФ @ 100В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

APT7M120B Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 8A TO247

Производитель:

Microchip Technology Inc.

Корпус:

TO-247 [B]

Напряжение сток-исток макс.:

1200В (1.2kВ)

Ток стока макс.:

8A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

2.5 Ом @ 3А, 10В

Мощность макс.:

335Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

5В @ 1mA

Заряд затвора:

80нКл @ 10В

Входная емкость:

2565пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRF1010EZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 75A TO220AB

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

75A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

8.5 мОм @ 51А, 10В

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

86нКл @ 10В

Входная емкость:

2810пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"