Одиночные MOSFET транзисторы

1301
Пороговое напряжение включения макс.:
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1301)
IRF1104PBF IRF1104PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100А 170Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
93нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 606 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 121,34
IRF9540NPBF IRF9540NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 23А 140Вт, 0.117 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
117 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
97нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 511 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 18,69
IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 13A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
295 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
860пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 494 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 46,56
IRF740PBF IRF740PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10А 134Вт, 0.54 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
550 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 463 шт

Внешние склады:
5 475 шт
Цена от:
от 38,60
IRF1407PBF IRF1407PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 130А 330Вт, 0.0078 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
130A
Сопротивление открытого канала:
7.8 мОм
Мощность макс.:
330Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
250нКл
Входная емкость:
5600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 457 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 66,05
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 9.3A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
9.3A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
53нКл
Входная емкость:
1510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 251 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 55,11
IRF9630PBF IRF9630PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 6.8А 74Вт, 0.8 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 151 шт

Внешние склады:
30 шт
Цена от:
от 41,99
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 56A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2430пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 060 шт

Внешние склады:
720 шт
Цена от:
от 57,74
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 12А 45Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
175 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 048 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 24,40
IRFR320TRPBF IRFR320TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 3.1А 2.5Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
3.1A
Сопротивление открытого канала:
1.8 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 820 шт

Внешние склады:
2 560 шт
Цена от:
от 33,48
IRFB260NPBF IRFB260NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 56А 380Вт, 0.04 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
220нКл
Входная емкость:
4220пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 795 шт

Внешние склады:
970 шт
Цена от:
от 107,89
IRF630NPBF IRF630NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.3А 82Вт, 0.3 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9.3A
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
82Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
575пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 754 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 23,53
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 16A 52Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
115 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
640пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 712 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 39,39
IRFR540ZTRPBF IRFR540ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
28.5 мОм
Мощность макс.:
91Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
1690пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 681 шт

Внешние склады:
830 шт
Аналоги:
1 943 шт
Цена от:
от 53,62
IRFR2407TRPBF IRFR2407TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 571 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 68,44
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120А 370Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
220нКл
Входная емкость:
9400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 569 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 81,12
IRFL9110TRPBF IRFL9110TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 1.1А 3.1Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.1A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.7нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 532 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 31,94
IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 2.8А 2.1Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
2.8A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18.3нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 526 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 102,26
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 110A 170Вт 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 506 шт

Внешние склады:
700 шт
Цена от:
от 45,52
IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 29А 68Вт, 0.05 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
29A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
68Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 504 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 34,97
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61748 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"