Одиночные MOSFET транзисторы

₁₃₈

Пороговое напряжение включения макс.: 1В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (138)

DMN2600UFB-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 1.3A автомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

3-DFN1006 (1.0x0.6)

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

1.3A

Сопротивление открытого канала:

350 мОм

Мощность макс.:

540мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

0.85нКл

Входная емкость:

70.13пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN26D0UT-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0.23A автомобильного применения 3-Pin SOT-523 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-523

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

230мА

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

300мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Входная емкость:

14.1пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN2990UFA-7B Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0.51A автомобильного применения 3-Pin X2-DFN лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

3-X2-DFN0806

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

510мА

Сопротивление открытого канала:

990 мОм

Мощность макс.:

400мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

0.5нКл

Входная емкость:

27.6пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN2990UFZ-7B Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0.25A автомобильного применения 3-Pin X2-DFN лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

X2-DFN0606-3

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

250мА

Сопротивление открытого канала:

990 мОм

Мощность макс.:

320мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

0.5нКл

Входная емкость:

55.2пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA291P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

MicroFET6

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

6.6A

Сопротивление открытого канала:

42 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

1000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA410NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 9.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

MicroFET6

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

9.5A

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

1080пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA905P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

6-MLP (2x2)

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

3405пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC510P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 18A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

MLP (3.3x3.3)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

116нКл

Входная емкость:

7860пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDME510PZT Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

MicroFET6(1.6x1.6)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

37 мОм

Мощность макс.:

700мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

1490пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8433A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

47 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

28нКл

Входная емкость:

1130пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT434P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

50 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

1187пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDY102PZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 830мА

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-89

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

830мА

Сопротивление открытого канала:

500 мОм

Мощность макс.:

446мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

3.1нКл

Входная емкость:

135пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7201PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 7А 2Вт, 0.03 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

7.3A

Сопротивление открытого канала:

30 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

28нКл

Входная емкость:

550пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 130 шт

Цена от:

от 83,55₽

Акция

IRF7403PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.5А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

8.5A

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

57нКл

Входная емкость:

1200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

163 шт

Цена от:

от 62,87₽

IRF7406PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.8А 2.5Вт, 0.045 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

5.8A

Сопротивление открытого канала:

45 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

59нКл

Входная емкость:

1100пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

37 шт

Цена от:

от 23,54₽

Акция

IRF7416PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 10А 2.5Вт, 0.02 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

20 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

92нКл

Входная емкость:

1700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

37 173 шт

Цена от:

от 8,82₽

IRF7807APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.3A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

8.3A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

17нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7807TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.3A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

8.3A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

17нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7809AVPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13.3А 2.5Вт, 0.007 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

13.3A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

62нКл

Входная емкость:

3780пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 082 шт

Цена от:

от 69,56₽

Акция

IRF7821PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18А 3.1Вт, 0.005 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

13.6A

Сопротивление открытого канала:

9.1 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

1010пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

853 шт

Цена от:

от 58,41₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"