Одиночные MOSFET транзисторы

₁₀₉

Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (109)

FDC637AN Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6.2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

6.2A

Сопротивление открытого канала:

24 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

1125пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC637BNZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6.2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

6.2A

Сопротивление открытого канала:

24 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

895пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC638P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

4.5A

Сопротивление открытого канала:

48 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

1160пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC640P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

4.5A

Сопротивление открытого канала:

53 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

13нКл

Входная емкость:

890пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC642P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

65 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

925пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC642P-F085 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

65 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

640пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD306P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 6.7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

6.7A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

21нКл

Входная емкость:

1290пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD3706 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 14.7А 3.8Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

14.7A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

1882пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDFM2P110 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

MicroFET 3x3mm

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.5A

Сопротивление открытого канала:

140 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Diode (Isolated)

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

4нКл

Входная емкость:

280пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDFMA2N028Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

MicroFET6

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.7A

Сопротивление открытого канала:

68 мОм

Мощность макс.:

700мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Diode (Isolated)

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

6нКл

Входная емкость:

455пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDFMA2P029Z Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.1A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

MicroFET6

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.1A

Сопротивление открытого канала:

95 мОм

Мощность макс.:

700мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Diode (Isolated)

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

720пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDFMA3N109 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2.9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

MicroFET6

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

2.9A

Сопротивление открытого канала:

123 мОм

Мощность макс.:

650мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Diode (Isolated)

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

3нКл

Входная емкость:

220пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDG311N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-363

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.9A

Сопротивление открытого канала:

115 мОм

Мощность макс.:

480мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

4.5нКл

Входная емкость:

270пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDG312P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-363

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.2A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

480мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

5нКл

Входная емкость:

330пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDG327N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-363

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.5A

Сопротивление открытого канала:

90 мОм

Мощность макс.:

380мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

6.3нКл

Входная емкость:

423пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDG327NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-363

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.5A

Сопротивление открытого канала:

90 мОм

Мощность макс.:

380мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

6нКл

Входная емкость:

412пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDG328P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-363

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.5A

Сопротивление открытого канала:

145 мОм

Мощность макс.:

480мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

6нКл

Входная емкость:

337пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDG332PZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-363

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

2.6A

Сопротивление открытого канала:

95 мОм

Мощность макс.:

480мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

10.8нКл

Входная емкость:

560пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA420NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 5.7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

MicroFET6

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

5.7A

Сопротивление открытого канала:

30 мОм

Мощность макс.:

2.4Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

935пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

-6% Акция

FDMA430NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

MicroFET6

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

40 мОм

Мощность макс.:

2.4Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"