Одиночные MOSFET транзисторы

50
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (50)
IPL60R199CPAUMA1 IPL60R199CPAUMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 16.4A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-VSON-4
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
16.4A
Сопротивление открытого канала:
199 мОм
Мощность макс.:
139Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
1520пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPW60R075CPFKSA1 IPW60R075CPFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 39A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
39A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
313Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
116нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
-6% Акция
IPW60R099CPFKSA1 IPW60R099CPFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 31А 255Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
99 мОм
Мощность макс.:
255Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
2800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPW65R190E6FKSA1 IPW65R190E6FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 20,2A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
20.2A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
151Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
73нКл
Входная емкость:
1620пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPW65R280E6FKSA1 IPW65R280E6FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 700В 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
13.8A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
950пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPW90R500C3FKSA1 IPW90R500C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
156Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
68нКл
Входная емкость:
1700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
NTD5802NT4G NTD5802NT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 16.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
16.4A
Сопротивление открытого канала:
4.4 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
100нКл
Входная емкость:
5025пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR872DP-T1-GE3 SIR872DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 53.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
53.7A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
64нКл
Входная емкость:
2130пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZVP2120GTA ZVP2120GTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 0.2A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
25 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Входная емкость:
100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZVP3306FTA ZVP3306FTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 0.09A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
90мА
Сопротивление открытого канала:
14 Ом
Мощность макс.:
330мВт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
  • 1
  • 2
  • 3
  • Далее
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.43586 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"