Одиночные MOSFET транзисторы

₇₀

Мощность макс.: 150Вт

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (70)

IRF640NLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A TO-262

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-262

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

18A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

150 мОм @ 11А, 10В

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

67нКл @ 10В

Входная емкость:

1160пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF640NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт, 0.15 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

67нКл

Входная емкость:

1160пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

19 286 шт

Цена от:

от 36,21₽

IRFP244PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 15A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

280 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

63нКл

Входная емкость:

1400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFPC40PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

6.8A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFPF40PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 4.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247AC

Напряжение сток-исток макс.:

900В

Ток стока макс.:

4.7A

Сопротивление открытого канала:

2.5 Ом

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

120нКл

Входная емкость:

1600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFPG40PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 4.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

1000В

Ток стока макс.:

4.3A

Сопротивление открытого канала:

3.5 Ом

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

120нКл

Входная емкость:

1600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFZ48VPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 72А 190Вт, 0.018 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

72A

Сопротивление открытого канала:

12 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

1985пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

NDP7060 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 75A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

13 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

115нКл

Входная емкость:

3600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

PHP45NQ10T,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 47A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

47A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

61нКл

Входная емкость:

2600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

PSMN025-100D,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 47A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

47A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

25 мОм @ 25А, 10В

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 1mA

Заряд затвора:

61нКл @ 10В

Входная емкость:

2600пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB100N10F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

61нКл

Входная емкость:

4369пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB11NM80T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

400 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

43.6нКл

Входная емкость:

1630пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB13NK60ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

550 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

92нКл

Входная емкость:

2030пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB31N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 22A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

148 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

1865пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

-6% Акция

STB32N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24А 0.119 Ом

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

24A

Сопротивление открытого канала:

119 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

72нКл

Входная емкость:

3320пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB40NF10LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 40A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

33 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

64нКл

Входная емкость:

2300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STH110N10F7-2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 110A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

HВІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

110A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

72нКл

Входная емкость:

5117пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STI24N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 18A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

I2PAK

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1060пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STL38N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 22.5A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

PowerFLAT 8x8

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

3.5A

Сопротивление открытого канала:

105 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

71нКл

Входная емкость:

3000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STP100N10F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

61нКл

Входная емкость:

4369пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"