Одиночные MOSFET транзисторы

₉₇

Мощность макс.: 300Вт

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1872)
Surface Mount (3376)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (97)

-8% Акция

STP100NF04 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

4.6 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

150нКл

Входная емкость:

5100пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

34 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 74,70₽

STP260N6F6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

183нКл

Входная емкость:

11400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 000 шт

Цена от:

от 263,52₽

STP46NF30 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 42А 300Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

300В

Ток стока макс.:

42A

Сопротивление открытого канала:

75 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

90нКл

Входная емкость:

3200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

50 шт

Цена от:

от 260,40₽

STP60NF10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

104нКл

Входная емкость:

4270пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 000 шт

Цена от:

от 90,90₽

STP80NF06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

150нКл

Входная емкость:

3850пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

56 шт

Цена от:

от 298,98₽

STP80NF55 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 80А 0,008Ом 300Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

80А

Сопротивление открытого канала:

0.008Ом

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канальный

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

50 шт

Цена от:

от 231,12₽

STP80NF55-06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 80A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

189нКл

Входная емкость:

4400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

16 000 шт

Цена от:

от 104,22₽

AUIRF2804S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

195A

Сопротивление открытого канала:

2 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

240нКл

Входная емкость:

6450пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRF2804STRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

195A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

2 мОм @ 75А, 10В

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

240нКл @ 10В

Входная емкость:

6450пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRF3805 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 160A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

160A

Сопротивление открытого канала:

3.3 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

290нКл

Входная емкость:

7960пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRF3805L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 160A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-262

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

160A

Сопротивление открытого канала:

3.3 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

290нКл

Входная емкость:

7960пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRF3805S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 160A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

160A

Сопротивление открытого канала:

3.3 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

290нКл

Входная емкость:

7960пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFS3206 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 210A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

170нКл

Входная емкость:

6540пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFS3206TRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 210A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

3 мОм @ 75А, 10В

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 150 µA

Заряд затвора:

170нКл @ 10В

Входная емкость:

6540пФ @ 50В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFS4310 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

250нКл

Входная емкость:

7670пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BTS282ZE3180AATMA2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 49В 80A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO263-7

Напряжение сток-исток макс.:

49В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Temperature Protection

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

232нКл

Входная емкость:

4800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BTS282ZE3230AKSA2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 49В 80A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO220-7

Напряжение сток-исток макс.:

49В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Temperature Protection

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

232нКл

Входная емкость:

4800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

BUK7606-75B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75A D2PAK

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

75A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

5.6 мОм @ 25А, 10В

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 1mA

Заряд затвора:

91нКл @ 10В

Входная емкость:

7446пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK764R0-55B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 193A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

4 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

86нКл

Входная емкость:

6776пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK964R2-55B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A D2PAK

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

75A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

3.7 мОм @ 25А, 10В

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В @ 1mA

Заряд затвора:

95нКл @ 5В

Входная емкость:

10220пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"