Одиночные MOSFET транзисторы

64
Мощность макс.: 40Вт
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (64)
Акция
2SK2671 2SK2671 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 5А 40Вт
Производитель:
Shindengen
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
5A
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Акция
2SK3245 2SK3245 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 8А 40Вт
Производитель:
Sanyo Semiconductors
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
8A
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Акция
2SK3298 2SK3298 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7.5А 40Вт
Производитель:
Nippon Electric Comp. Ltd.
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7.5A
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
2SK3564 2SK3564 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3А 40Вт
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
3A
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
2SK4087 2SK4087 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 14А 40Вт
Производитель:
Sanyo Semiconductors
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
14A
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
FDD3N50NZTM FDD3N50NZTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8нКл
Входная емкость:
280пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
FDD5N50TM FDD5N50TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4А 40Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
4A
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
FDPF8N50NZU FDPF8N50NZU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6.5A TO-220F
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
6.5A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом @ 4А, 10В
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
18нКл @ 10В
Входная емкость:
735пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FQPF6N60C FQPF6N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5А 40Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
810пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF9Z20PBF IRF9Z20PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 9.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
9.7A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
480пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFI740GLCPBF IRFI740GLCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
5.7A
Сопротивление открытого канала:
550 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFR9120NPBF IRFR9120NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.5А 39Вт, 0.48 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.6A
Сопротивление открытого канала:
480 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
17 258 шт
Цена от:
от 17,33
IRLI640GPBF IRLI640GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9.9A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRLR3715ZPBF IRLR3715ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 49A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
49A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.55В
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
810пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
M12N70F M12N70F Транзистор полевой N-канальный 700В 12А 40Вт
Производитель:
Noname
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
700В
Ток стока макс.:
12А
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
3.7 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
2425пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SPI08N80C3XKSA1 SPI08N80C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8A 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
650 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
STD10PF06T4 STD10PF06T4 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 10А 40Вт, 0.032 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD16NF06LT4 STD16NF06LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 24A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7.5нКл
Входная емкость:
370пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STF18NM80 STF18NM80 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 17A TO-220FP
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
17A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
295 мОм @ 8.5А, 10В
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
70нКл @ 10В
Входная емкость:
2070пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.43524 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"