Одиночные MOSFET транзисторы

₅₉

Мощность макс.: 40Вт

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (8)
Surface Mount (3357)
Through Hole (1862)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (59)

IRLI640GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.9A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

9.9A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

IRLR3715ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 49A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

49A

Сопротивление открытого канала:

11 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.55В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

810пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SIRA10DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 60A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

3.7 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

51нКл

Входная емкость:

2425пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SPA08N80C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO220-FP

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

650 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1100пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

SPI08N80C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8A 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-262

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

650 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1100пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

Акция

STD10PF06T4 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 10А 40Вт, 0.032 Ом

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

21нКл

Входная емкость:

850пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

STD16NF06LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 24A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

24A

Сопротивление открытого канала:

70 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

7.5нКл

Входная емкость:

370пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

STD25N10F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 25A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

25A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

920пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

STD26P3LLH6 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 12A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

30 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

1450пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

STF15N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 12A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

950В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

500 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

STF18NM80 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 17A TO-220FP

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

17A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

295 мОм @ 8.5А, 10В

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

5В @ 250 µA

Заряд затвора:

70нКл @ 10В

Входная емкость:

2070пФ @ 50В

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

STF20N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 17.5A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

950В

Ток стока макс.:

17.5A

Сопротивление открытого канала:

330 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

1500пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

STF25N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 19.5A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

19.5A

Сопротивление открытого канала:

260 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

1600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

STF34NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

29A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

80.4нКл

Входная емкость:

2785пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

STF40N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 34A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

34A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

88 мОм @ 17А, 10В

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

57нКл @ 10В

Входная емкость:

2500пФ @ 100В

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

STF40NF20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 40A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

45 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

75нКл

Входная емкость:

2500пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

STF45N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 35A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

78 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

91нКл

Входная емкость:

3375пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

STF57N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 42A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

42A

Сопротивление открытого канала:

63 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

98нКл

Входная емкость:

4200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

STF8NK100Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 6.5A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

1000В

Ток стока макс.:

6.5A

Сопротивление открытого канала:

1.85 Ом

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

102нКл

Входная емкость:

2180пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"