Одиночные MOSFET транзисторы

₉₉

Мощность макс.: 3.1Вт

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (99)

CSD18504Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

8-SON (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

6.6 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

1656пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD18509Q5BT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100A 8-Pin VSON-CLIP EP лента на катушке

Производитель:

Texas Instruments

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

1.2 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±20В

Заряд затвора:

195нКл

Входная емкость:

13900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD18531Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A 8-Pin VSONP EP лента на катушке

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

8-SON (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

19A(Ta),100A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

4.6 мОм @ 22А, 10В

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.3В @ 250 µA

Заряд затвора:

43нКл @ 10В

Входная емкость:

3840пФ @ 30В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD18534Q5AT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

8-VSON (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

9.8 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.3В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

1770пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB3502 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263AB

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

47 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

815пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDB8447L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50А 60Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

8.5 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

52нКл

Входная емкость:

2620пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD3860 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6.2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

6.2A

Сопротивление открытого канала:

36 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

31нКл

Входная емкость:

1740пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD5353 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 11.5A DPAK

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

11.5A(Ta),50A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

12.3 мОм @ 10.7А, 10В

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В @ 250 µA

Заряд затвора:

65нКл @ 10В

Входная емкость:

3215пФ @ 30В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD86110 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

12.5A

Сопротивление открытого канала:

10.2 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

2265пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD86250 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

33нКл

Входная емкость:

2110пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD86326 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

1035пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD86540 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

21.5A

Сопротивление открытого канала:

4.1 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

90нКл

Входная емкость:

6340пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF3709PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 90A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

90A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

2672пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF3709STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 90A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

90A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

2672пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF3711SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 110A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

110A

Сопротивление открытого канала:

6 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

44нКл

Входная емкость:

2980пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF5210LPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 38A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-262

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

38A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

230нКл

Входная емкость:

2780пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF5210SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 40А 3.8Вт, 0.06 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

38A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

230нКл

Входная емкость:

2780пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 609 шт

Цена от:

от 65,35₽

IRF624SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 4.4A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

4.4A

Сопротивление открытого канала:

1.1 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

260пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF634STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 8.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

8.1A

Сопротивление открытого канала:

450 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

770пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF710SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

400В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

3.6 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

170пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"