Одиночные MOSFET транзисторы

674
Напряжение сток-исток макс.: 100В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (674)
Акция
IRLS4030-7PPBF IRLS4030-7PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 190А 370Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
190A
Сопротивление открытого канала:
3.9 мОм
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
11490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
495 шт
Цена от:
от 329,29
IRLS4030TRLPBF IRLS4030TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
180A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.3 мОм @ 110А, 10В
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
130нКл @ 4.5В
Входная емкость:
11360пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
IXFK200N10P IXFK200N10P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 200A
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
TO-264AA (IXFK)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
200A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм @ 100А, 10В
Мощность макс.:
830Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 8mA
Заряд затвора:
235нКл @ 10В
Входная емкость:
7600пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IXTH75N10L2 IXTH75N10L2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A TO-247
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
TO-247 (IXTH)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
21 мОм @ 500mА, 10В
Мощность макс.:
400Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
215нКл @ 10В
Входная емкость:
8100пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IXTH76P10T IXTH76P10T Транзистор полевой MOSFET P-канальный -100В -76А
Производитель:
Littelfuse
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
76А
Тип транзистора:
P-канальный
IXTN210P10T IXTN210P10T Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 210A SOT-227
Производитель:
Littelfuse
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
210А
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Chassis Mount
LBSS123LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.17A 225мВт SOT-23
Производитель:
Leshan Radio Company, Ltd
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
0.17А
Мощность макс.:
225мВт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
629 526 шт
Цена от:
от 0,77
NTB6410ANT4G NTB6410ANT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 76A D2PAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
76А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
NTD6414ANT4G NTD6414ANT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 32A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
37 мОм
Мощность макс.:
100Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTD6415ANLT4G NTD6415ANLT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 23A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1024пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PHB47NQ10T,118 PHB47NQ10T,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 47A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
47A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
166Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
3100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PHP18NQ10T,127 PHP18NQ10T,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 18A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
633пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PHP45NQ10T,127 PHP45NQ10T,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 47A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
47A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
2600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PHT4NQ10T,135 PHT4NQ10T,135 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 3.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
6.9Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7.4нКл
Входная емкость:
300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN009-100B,118 PSMN009-100B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
8.8 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
156нКл
Входная емкость:
8250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN009-100P,127 PSMN009-100P,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
8.8 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
156нКл
Входная емкость:
8250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
90нКл
Входная емкость:
4900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN016-100BS,118 PSMN016-100BS,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A D2PAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
57A(Tj)
Сопротивление открытого канала:
16 мОм @ 15А, 10В
Мощность макс.:
148Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 1mA
Заряд затвора:
49нКл @ 10В
Входная емкость:
2404пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN020-100YS,115 PSMN020-100YS,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
43A
Сопротивление открытого канала:
20.5 мОм
Мощность макс.:
106Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
2210пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN025-100D,118 PSMN025-100D,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 47A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
47A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
25 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 1mA
Заряд затвора:
61нКл @ 10В
Входная емкость:
2600пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"