Одиночные MOSFET транзисторы

₁₃₀₁

Пороговое напряжение включения макс.: 4В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (1301)

FDP030N06B_F102 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

3.1 мОм

Мощность макс.:

205Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

99нКл

Входная емкость:

8030пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP036N10A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

3.6 мОм

Мощность макс.:

227Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

116нКл

Входная емкость:

7295пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP045N10A_F102 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

263Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

74нКл

Входная емкость:

5270пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP047AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

4.7 мОм

Мощность макс.:

310Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

138нКл

Входная емкость:

6600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP060AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

6 мОм

Мощность макс.:

255Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

95нКл

Входная емкость:

5150пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP075N15A_F102 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 130A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

130A

Сопротивление открытого канала:

7.5 мОм

Мощность макс.:

333Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

100нКл

Входная емкость:

7350пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP083N15A_F102 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 83A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

83A

Сопротивление открытого канала:

8.3 мОм

Мощность макс.:

231Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

84нКл

Входная емкость:

6040пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP085N10A-F102 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 96A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

96A

Сопротивление открытого канала:

8.5 мОм

Мощность макс.:

188Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

2695пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP150N10A_F102 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 50A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

15 мОм

Мощность макс.:

91Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

21нКл

Входная емкость:

1440пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP16AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 58A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

1857пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP2552 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 37A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

36 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

51нКл

Входная емкость:

2800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP2572 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 29A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

54 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

1770пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP3652 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 61A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

53нКл

Входная емкость:

2880пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP3672 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 105В 41A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

105В

Ток стока макс.:

5.9A

Сопротивление открытого канала:

33 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

37нКл

Входная емкость:

1670пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP3682 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 32A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

36 мОм

Мощность макс.:

95Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

28нКл

Входная емкость:

1250пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP42AN15A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 35A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

42 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

39нКл

Входная емкость:

2150пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP55N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 55A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

55A

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

114Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

37нКл

Входная емкость:

1510пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP65N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 65A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

65A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

43нКл

Входная емкость:

2170пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP75N08A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

11 мОм

Мощность макс.:

137Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

104нКл

Входная емкость:

4468пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDPF045N10A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 67A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

67A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

43Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

74нКл

Входная емкость:

5270пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61748 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"