Одиночные MOSFET транзисторы

709
Напряжение сток-исток макс.: 60В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (709)
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 4.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
4.7A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 4.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
4.7A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIS862DN-T1-GE3 SIS862DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.6В
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
1320пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
-6% Акция
SN7002NH6327 SN7002NH6327 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.2A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
0.2A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
SN7002NH6433XTMA1 SN7002NH6433XTMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
0.2A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
SN7002WH6327 SN7002WH6327 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.23A автомобильного применения 3-Pin SOT-323 лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-323
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
0.23A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 80A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
80А
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
SPD08P06PGBTMA1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.83A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8.83А
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
SPD30P06PG SPD30P06PG Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 30A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
P-TO252-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
1535пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SPP08P06PHXKSA1 SPP08P06PHXKSA1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.8A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8.8A
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Through Hole
SPP80P06PHXKSA1 SPP80P06PHXKSA1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 80A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
80А
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
SQ2308CES-T1_GE3 SQ2308CES-T1_GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.3A автомобильного применения
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.3A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
5.3нКл
Входная емкость:
205пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SQ2361ES-T1_GE3 SQ2361ES-T1_GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 2.8A автомобильного применения 3-Pin TO-236 лента на катушке
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.8A
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В SOT-23
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 36A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO лента на катушке
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
36А
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
SQJ963EP-T1_GE3 SQJ963EP-T1_GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8A автомобильного применения 8-Pin PowerPAK SO лента на катушке
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8A
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
STB16NF06LT4 STB16NF06LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 16A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
345пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB45NF06T4 STB45NF06T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 38A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
58нКл
Входная емкость:
980пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 60A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD10P6F6 STD10P6F6 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 10A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.4нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"