Одиночные MOSFET транзисторы

₁₃₀₁

Пороговое напряжение включения макс.: 4В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (1301)

FDPF55N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 55A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

55A

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

37нКл

Входная емкость:

1510пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDS2672 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

3.9A

Сопротивление открытого канала:

70 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

46нКл

Входная емкость:

2535пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS2734 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

117 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

2610пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS3572 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 8.9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

8.9A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

1990пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDS3580 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 7.6А 2.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

7.6A

Сопротивление открытого канала:

29 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

46нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS3590 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 6.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

6.5A

Сопротивление открытого канала:

39 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1180пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS3672 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

7.5A

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

37нКл

Входная емкость:

2015пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS3692 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.5A автомобильного применения 8-Pin SOIC лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

4.5A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

746пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS5670 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

70нКл

Входная емкость:

2900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS5680 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

20 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

1850пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS5690 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

1107пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS86106 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 3.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

3.4A

Сопротивление открытого канала:

105 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

4нКл

Входная емкость:

208пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS86140 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11.2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

11.2A

Сопротивление открытого канала:

9.8 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

2580пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS86141 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

16.5нКл

Входная емкость:

934пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS86240 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 7.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

7.5A

Сопротивление открытого канала:

19.8 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

2570пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS86242 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 4.1A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

4.1A

Сопротивление открытого канала:

67 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

13нКл

Входная емкость:

760пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS86252 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 4.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

4.5A

Сопротивление открытого канала:

55 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

955пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT3612 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 3.7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223-4

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

3.7A

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

632пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT86244 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2.8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223-4

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

2.8A

Сопротивление открытого канала:

128 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

7нКл

Входная емкость:

395пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT86246 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223-4

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

236 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

4нКл

Входная емкость:

215пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61748 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"