Одиночные MOSFET транзисторы

₁₃₀₁

Пороговое напряжение включения макс.: 4В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (1301)

IRF510SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

5.6A

Сопротивление открытого канала:

540 мОм

Мощность макс.:

3.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.3нКл

Входная емкость:

180пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF510STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

5.6A

Сопротивление открытого канала:

540 мОм

Мощность макс.:

3.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.3нКл

Входная емкость:

180пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF5210LPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 38A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-262

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

38A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

230нКл

Входная емкость:

2780пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF5210SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 40А 3.8Вт, 0.06 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

38A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

230нКл

Входная емкость:

2780пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 266 шт

Цена от:

от 64,74₽

Акция

IRF5305SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 31А 3.8Вт, 0.06 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

31A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

63нКл

Входная емкость:

1200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

5 380 шт

Цена от:

от 76,79₽

IRF530NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14А 3.8Вт, 0.16 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

90 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

37нКл

Входная емкость:

920пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 362 шт

Цена от:

от 44,99₽

IRF530SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

160 мОм

Мощность макс.:

3.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

670пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF540NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33А 3.8Вт, 0.052 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

33A

Сопротивление открытого канала:

44 мОм

Мощность макс.:

130Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

71нКл

Входная емкость:

1960пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 841 шт

Цена от:

от 32,79₽

IRF540NSTRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

33A

Сопротивление открытого канала:

44 мОм

Мощность макс.:

130Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

71нКл

Входная емкость:

1960пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 841 шт

Цена от:

от 32,79₽

IRF540SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 28A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

28A

Сопротивление открытого канала:

77 мОм

Мощность макс.:

3.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

72нКл

Входная емкость:

1700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

50 шт

Цена от:

от 129,51₽

IRF610SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

3.3A

Сопротивление открытого канала:

1.5 Ом

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.2нКл

Входная емкость:

140пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF610STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

3.3A

Сопротивление открытого канала:

1.5 Ом

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.2нКл

Входная емкость:

140пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF620SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

5.2A

Сопротивление открытого канала:

800 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

260пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6215SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 13A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

290 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

860пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF624SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 4.4A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

4.4A

Сопротивление открытого канала:

1.1 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

260пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF630NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.3А 3.1Вт, 0.3 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

9.3A

Сопротивление открытого канала:

300 мОм

Мощность макс.:

82Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

575пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 589 шт

Цена от:

от 79,52₽

IRF630SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

400 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

43нКл

Входная емкость:

800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF630STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

400 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

43нКл

Входная емкость:

800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF630STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

400 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

43нКл

Входная емкость:

800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF634PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 8.1А 74Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

8.1A

Сопротивление открытого канала:

450 мОм

Мощность макс.:

74Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

770пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61748 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"