Одиночные MOSFET транзисторы

₈₅

Ток стока макс.: 11A

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (85)

IRFPC50APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

580 мОм

Мощность макс.:

180Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

70нКл

Входная емкость:

2100пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFPC50LCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

84нКл

Входная емкость:

2300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR9024NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.8А 42Вт, 0.28 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

175 мОм

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

48 022 шт

Цена от:

от 6,19₽

IRFR9024NTRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 11A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

175 мОм

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

48 022 шт

Цена от:

от 6,19₽

NVTFS5820NLTWG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 37A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

WDFN8

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

11.5 мОм

Мощность макс.:

3.2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.3В

Заряд затвора:

28нКл

Входная емкость:

1462пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFD3055LE Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 11A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

107 мОм

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

11.3нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

RFD3055LESM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 11A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

107 мОм

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

11.3нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4386DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

1.47Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

18нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7460DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 11A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

9.6 мОм

Мощность макс.:

1.9Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

100нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPP11N60S5XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 11A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO220-3

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

54нКл

Входная емкость:

1460пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STB11NM60T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 11A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

450 мОм

Мощность макс.:

160Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

1000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB11NM80T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

400 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

43.6нКл

Входная емкость:

1630пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB13NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 90Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

360 мОм

Мощность макс.:

90Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

790пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD13N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

580пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD13NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

109Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

24.5нКл

Входная емкость:

845пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD15N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 11A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

340 мОм

Мощность макс.:

85Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

816пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STF13NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

25Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

24.5нКл

Входная емкость:

845пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STF15N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 11A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

340 мОм

Мощность макс.:

25Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

816пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP11NM60FD Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

450 мОм

Мощность макс.:

160Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP13N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

580пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.60435 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"