Одиночные MOSFET транзисторы

₈₂

Ток стока макс.: 6A

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3376)
Chassis Mount (8)
Through Hole (1872)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (82)

IRFR825TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.3 Ом

Мощность макс.:

119Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

1346пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2329DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 8В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

8В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

30 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

800mВ

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1485пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2333DDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

1.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1275пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2399DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

34 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

835пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3433CDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

38 мОм

Мощность макс.:

3.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4485DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

42 мОм

Мощность макс.:

5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

21нКл

Входная емкость:

590пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4850EY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

1.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

27нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

36 540 шт

Цена от:

от 55,80₽

SI5457DC-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

ChipFET8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

36 мОм

Мощность макс.:

5.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.4В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

1000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI5468DC-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

ChipFET8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

5.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

435пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7120ADN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

21 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

45нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7308DN-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

58 мОм

Мощность макс.:

19.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

665пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7308DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

58 мОм

Мощность макс.:

19.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

665пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPA06N80C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO220-FP

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

900 мОм

Мощность макс.:

39Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

785пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

SQ2310ES-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-236

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

30 мОм

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

8.5нКл

Входная емкость:

485пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STD7N52DK3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 525В 6A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

525В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.15 Ом

Мощность макс.:

90Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

33нКл

Входная емкость:

870пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STF7N52DK3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 525В 6A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

525В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.15 Ом

Мощность макс.:

25Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

33нКл

Входная емкость:

870пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STF7N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

25Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

13.4нКл

Входная емкость:

360пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP7N52K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 525В 6.2A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

525В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

980 мОм

Мощность макс.:

90Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

737пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP7N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

13.4нКл

Входная емкость:

360пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP8N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

950 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

16.5нКл

Входная емкость:

450пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"