Одиночные MOSFET транзисторы

92
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (92)
IRF3710LPBF IRF3710LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A TO-262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
57A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
23 мОм @ 28А, 10В
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
130нКл @ 10В
Входная емкость:
3130пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRF3710STRRPBF IRF3710STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
57A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
23 мОм @ 28А, 10В
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
130нКл @ 10В
Входная емкость:
3130пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
958 шт
Цена от:
от 49,61
IRF540NLPBF IRF540NLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33A TO-262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
33A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
44 мОм @ 16А, 10В
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
71нКл @ 10В
Входная емкость:
1960пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRF640NLPBF IRF640NLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A TO-262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
150 мОм @ 11А, 10В
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
67нКл @ 10В
Входная емкость:
1160пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRF9540NLPBF IRF9540NLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 23A TO262-3
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
23A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
117 мОм @ 14А, 10В
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 10В
Входная емкость:
1450пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFB3006GPBF IRFB3006GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A TO220AB
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
195A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм @ 170А, 10В
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
300нКл @ 10В
Входная емкость:
8970пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFB4110GPBF IRFB4110GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A TO220AB
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
120A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
210нКл @ 10В
Входная емкость:
9620пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFI4110GPBF IRFI4110GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 72A TO220AB
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB Full-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
72A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм @ 43А, 10В
Мощность макс.:
61Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
290нКл @ 10В
Входная емкость:
9540пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFR2407TRLPBF IRFR2407TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
42A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
26 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 10В
Входная емкость:
2400пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR3303TRPBF IRFR3303TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 33A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
33A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
31 мОм @ 18А, 10В
Мощность макс.:
57Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
29нКл @ 10В
Входная емкость:
750пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR3710ZTRLPBF IRFR3710ZTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
42A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
18 мОм @ 33А, 10В
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
100нКл @ 10В
Входная емкость:
2930пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR3910TRLPBF IRFR3910TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 16A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
16A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
115 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
44нКл @ 10В
Входная емкость:
640пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 465 шт
Цена от:
от 26,65
IRFR4104TRLPBF IRFR4104TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 42A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
42A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
5.5 мОм @ 42А, 10В
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
89нКл @ 10В
Входная емкость:
2950пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR4104TRRPBF IRFR4104TRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 42A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
42A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
5.5 мОм @ 42А, 10В
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
89нКл @ 10В
Входная емкость:
2950пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR6215TRRPBF IRFR6215TRRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 13A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
13A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
295 мОм @ 6.6А, 10В
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
66нКл @ 10В
Входная емкость:
860пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFU1205PBF IRFU1205PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 44A I-PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
44A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
27 мОм @ 26А, 10В
Мощность макс.:
107Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
65нКл @ 10В
Входная емкость:
1300пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFU2405PBF IRFU2405PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 56A I-PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
56A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
16 мОм @ 34А, 10В
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 10В
Входная емкость:
2430пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFU6215PBF IRFU6215PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 13A I-PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
13A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
295 мОм @ 6.6А, 10В
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
66нКл @ 10В
Входная емкость:
860пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFZ34NSTRRPBF IRFZ34NSTRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 29A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
29A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
40 мОм @ 16А, 10В
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
34нКл @ 10В
Входная емкость:
700пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFZ44VZPBF IRFZ44VZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 57A TO-220AB
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
57A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
12 мОм @ 34А, 10В
Мощность макс.:
92Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
65нКл @ 10В
Входная емкость:
1690пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.70844 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"