Одиночные MOSFET транзисторы

92
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (92)
FQP20N06 FQP20N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 20A TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
20A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
60 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.:
53Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
15нКл @ 10В
Входная емкость:
590пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF15P12 FQPF15P12 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 120В 15A TO-220F
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
120В
Ток стока макс.:
15A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
200 мОм @ 7.5А, 10В
Мощность макс.:
41Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
38нКл @ 10В
Входная емкость:
1100пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF9N50C FQPF9N50C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 9A TO-220F
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
9A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
800 мОм @ 4.5А, 10В
Мощность макс.:
44Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
35нКл @ 10В
Входная емкость:
1030пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRF1404LPBF IRF1404LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262-3
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
162A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4 мОм @ 95А, 10В
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
200нКл @ 10В
Входная емкость:
7360пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRF1404STRRPBF IRF1404STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 162A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
162A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4 мОм @ 95А, 10В
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
200нКл @ 10В
Входная емкость:
7360пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
531 шт
Цена от:
от 66,04
IRF1405STRRPBF IRF1405STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 131A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
131A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
5.3 мОм @ 101А, 10В
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
260нКл @ 10В
Входная емкость:
5480пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
181 шт
Цена от:
от 66,04
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 100A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
100A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
7.8 мОм @ 78А, 10В
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
250нКл @ 10В
Входная емкость:
5600пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF2804LPBF IRF2804LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A TO-220-3
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
2.3 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
240нКл @ 10В
Входная емкость:
6450пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRF2805STRLPBF IRF2805STRLPBF Транзистор HEXFET N-канал 55В 135А [D2PAK]
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
135A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.7 мОм @ 104А, 10В
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
230нКл @ 10В
Входная емкость:
5110пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF3007STRLPBF IRF3007STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 62A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
62A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
12.6 мОм @ 48А, 10В
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
130нКл @ 10В
Входная емкость:
3270пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF3710LPBF IRF3710LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A TO-262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
57A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
23 мОм @ 28А, 10В
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
130нКл @ 10В
Входная емкость:
3130пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRF3710STRRPBF IRF3710STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
57A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
23 мОм @ 28А, 10В
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
130нКл @ 10В
Входная емкость:
3130пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 920 шт
Цена от:
от 49,61
IRF640NLPBF IRF640NLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A TO-262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
150 мОм @ 11А, 10В
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
67нКл @ 10В
Входная емкость:
1160пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRF9540NLPBF IRF9540NLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 23A TO262-3
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
23A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
117 мОм @ 14А, 10В
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 10В
Входная емкость:
1450пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFB3006GPBF IRFB3006GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A TO220AB
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
195A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм @ 170А, 10В
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
300нКл @ 10В
Входная емкость:
8970пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFR3303TRPBF IRFR3303TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 33A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
33A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
31 мОм @ 18А, 10В
Мощность макс.:
57Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
29нКл @ 10В
Входная емкость:
750пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR4104TRLPBF IRFR4104TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 42A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
42A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
5.5 мОм @ 42А, 10В
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
89нКл @ 10В
Входная емкость:
2950пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR4104TRRPBF IRFR4104TRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 42A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
42A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
5.5 мОм @ 42А, 10В
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
89нКл @ 10В
Входная емкость:
2950пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR6215TRRPBF IRFR6215TRRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 13A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
13A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
295 мОм @ 6.6А, 10В
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
66нКл @ 10В
Входная емкость:
860пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFU1205PBF IRFU1205PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 44A I-PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
44A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
27 мОм @ 26А, 10В
Мощность макс.:
107Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
65нКл @ 10В
Входная емкость:
1300пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.43056 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"