Одиночные MOSFET транзисторы

₂₁₃

Пороговое напряжение включения макс.: 2В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (213)

STD16NF06T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 16А 0.06 Ом

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

70 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

14.1нКл

Входная емкость:

400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

516 шт

Внешние склады:

5 000 шт

Цена от:

от 20,39₽

BSC014N04LS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 32A 8-Pin TDSON EP лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TDSON-8 FL

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

32A

Сопротивление открытого канала:

1.4 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

61нКл

Входная емкость:

4300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

9 756 шт

Цена от:

от 37,94₽

BSC022N04LSATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TDSON-8

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

2.2 мОм

Мощность макс.:

69Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

37нКл

Входная емкость:

2600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

5 000 шт

Аналоги:

3 145 шт

Цена от:

от 65,91₽

BSP126,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 375мА

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

375мА

Сопротивление открытого канала:

5 Ом

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Входная емкость:

120пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 000 шт

Цена от:

от 76,05₽

BSS123W-7-F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 170мА

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-323

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

170мА

Сопротивление открытого канала:

6 Ом

Мощность макс.:

200мВт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Входная емкость:

60пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

27 000 шт

Цена от:

от 4,41₽

BSS84-7-F Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 130мА, 0.3Вт

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-23

Напряжение сток-исток макс.:

50В

Ток стока макс.:

130мА

Сопротивление открытого канала:

10 Ом

Мощность макс.:

300мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Входная емкость:

45пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

100 970 шт

Аналоги:

541 074 шт

Цена от:

от 2,80₽

BSZ060NE2LS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 12A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TSDSON

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

6 мОм

Мощность макс.:

2.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

9.1нКл

Входная емкость:

670пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

5 000 шт

Цена от:

от 20,40₽

BSZ0902NSATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TSDSON

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

2.6 мОм

Мощность макс.:

2.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

1700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

5 000 шт

Цена от:

от 127,42₽

BTS244ZE3043AKSA2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 35A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO220-5

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

13 мОм

Мощность макс.:

170Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Temperature Protection

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

130нКл

Входная емкость:

2660пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

500 шт

Цена от:

от 371,23₽

DMN3016LFDE-13 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10A автомобильного применения 6-Pin UDFN EP лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

6-UDFN2020 (2x2)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

12 мОм

Мощность макс.:

730мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

25.1нКл

Входная емкость:

1415пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

10 000 шт

Аналоги:

12 000 шт

Цена от:

от 12,01₽

DMN3016LFDE-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10A автомобильного применения 6-Pin UDFN EP лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

6-UDFN2020 (2x2)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

12 мОм

Мощность макс.:

730мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

25.1нКл

Входная емкость:

1415пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

12 000 шт

Аналоги:

10 000 шт

Цена от:

от 11,04₽

DMN3026LVT-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.6A автомобильного применения 6-Pin TSOT-26 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

TSOT-26

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

6.6A

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

1.2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

12.5нКл

Входная емкость:

643пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

15 000 шт

Цена от:

от 7,25₽

DMN3032LE-13 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5.6A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

5.6A

Сопротивление открытого канала:

29 мОм

Мощность макс.:

14Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

11.3нКл

Входная емкость:

498пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

13 550 шт

Цена от:

от 9,97₽

FQD12N20LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

280 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

21нКл

Входная емкость:

1080пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

5 050 шт

Цена от:

от 32,46₽

FQD13N10LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

520пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

5 000 шт

Цена от:

от 20,86₽

FQD7N20LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

750 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

92нКл

Входная емкость:

500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Цена от:

от 57,68₽

-6% Акция

IRF3708PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 62A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

62A

Сопротивление открытого канала:

12 мОм

Мощность макс.:

87Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

24нКл

Входная емкость:

2417пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

26 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 30,32₽

IRF7456TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 16A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

62нКл

Входная емкость:

3640пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

300 шт

Цена от:

от 79,98₽

-6% Акция

IRL520NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10А 48Вт, 0.18 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

440пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

3 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 29,52₽

IRL520NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

440пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 600 шт

Цена от:

от 64,84₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"