Одиночные MOSFET транзисторы

₁₃₀₁

Пороговое напряжение включения макс.: 4В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (1301)

IRFBC40STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

6.2A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBE30SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

4.1A

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

78нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBF20LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

I2PAK

Напряжение сток-исток макс.:

900В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

8 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

490пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFBF20STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

900В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

8 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

490пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

41 шт

Цена от:

от 110,14₽

IRFBF30STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

900В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

3.7 Ом

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

78нКл

Входная емкость:

1200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

197 шт

Цена от:

от 119,77₽

IRFD020PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 2.4A

Производитель:

Vishay

Корпус:

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Напряжение сток-исток макс.:

50В

Ток стока макс.:

2.4A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

24нКл

Входная емкость:

400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD224PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 630мА

Производитель:

Vishay

Корпус:

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

630мА

Сопротивление открытого канала:

1.1 Ом

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

260пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD9010PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 1.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Напряжение сток-исток макс.:

50В

Ток стока макс.:

1.1A

Сопротивление открытого канала:

500 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

240пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD9020PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

280 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

570пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD9024PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.6А 1.3Вт, 0.28 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

280 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

570пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFH5006TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

4.1 мОм

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

100нКл

Входная емкость:

4175пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFI1010NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 49А 58Вт, 0.012 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

49A

Сопротивление открытого канала:

12 мОм

Мощность макс.:

58Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

130нКл

Входная емкость:

2900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFI4510GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB Full-Pak

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

13.5 мОм

Мощность макс.:

42Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

81нКл

Входная емкость:

2998пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFI510GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

4.5A

Сопротивление открытого канала:

540 мОм

Мощность макс.:

27Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.3нКл

Входная емкость:

180пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFI520GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

7.2A

Сопротивление открытого канала:

270 мОм

Мощность макс.:

37Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

360пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFI530GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

9.7A

Сопротивление открытого канала:

160 мОм

Мощность макс.:

42Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

33нКл

Входная емкость:

670пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFI540GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

77 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

72нКл

Входная емкость:

1700пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFI620GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 4.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

4.1A

Сопротивление открытого канала:

800 мОм

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

260пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFI630GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5.9A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

5.9A

Сопротивление открытого канала:

400 мОм

Мощность макс.:

35Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

43нКл

Входная емкость:

800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFI720GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 2.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

400В

Ток стока макс.:

2.6A

Сопротивление открытого канала:

1.8 Ом

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

410пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61748 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"