Одиночные MOSFET транзисторы

₂₅₂

Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (252)

STY60NK30Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 60А 450Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

MAX247

Напряжение сток-исток макс.:

300В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

45 мОм

Мощность макс.:

450Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

220нКл

Входная емкость:

7200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

1 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 919,50₽

FDMS86350ET80 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 80A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

25A

Сопротивление открытого канала:

2.4 мОм

Мощность макс.:

2.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

155нКл

Входная емкость:

10680пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 868 шт

Цена от:

от 218,28₽

FDP025N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

2.5 мОм

Мощность макс.:

395Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

226нКл

Входная емкость:

14885пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

9 шт

Цена от:

от 953,99₽

STP5NK80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

4.3A

Сопротивление открытого канала:

2.4 Ом

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

45.5нКл

Входная емкость:

910пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

20 шт

Цена от:

от 342,06₽

STQ1NK60ZR-AP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.3A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO92-3

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

300мА

Сопротивление открытого канала:

15 Ом

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

6.9нКл

Входная емкость:

94пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

40 шт

Цена от:

от 76,36₽

Акция

STU6N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В 5.5А 90Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

620В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

90Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

875пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

20 шт

Цена от:

от 173,72₽

AOD2N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Производитель:

Alpha & Omega Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

4.4 Ом

Мощность макс.:

56.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

325пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSS127S-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.05A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-23

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

50мА

Сопротивление открытого канала:

160 Ом

Мощность макс.:

610мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

1.08нКл

Входная емкость:

21.8пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FCPF400N80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

400 мОм

Мощность макс.:

35.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

2350пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FCPF850N80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

850 мОм

Мощность макс.:

28.4Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1315пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDB024N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

2.4 мОм

Мощность макс.:

395Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

226нКл

Входная емкость:

14885пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB031N08 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

3.1 мОм

Мощность макс.:

375Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

220нКл

Входная емкость:

15160пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB047N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

4.7 мОм

Мощность макс.:

375Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

210нКл

Входная емкость:

15265пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB120N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 74A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

74A

Сопротивление открытого канала:

12 мОм

Мощность макс.:

170Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

86нКл

Входная емкость:

5605пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB150N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

57A

Сопротивление открытого канала:

15 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

69нКл

Входная емкость:

4760пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB3502 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263AB

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

47 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

815пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC2612 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 1.1A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

1.1A

Сопротивление открытого канала:

725 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

234пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD2670 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

130 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

43нКл

Входная емкость:

1228пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD3860 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6.2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

6.2A

Сопротивление открытого канала:

36 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

31нКл

Входная емкость:

1740пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDI150N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-262-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

57A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

69нКл

Входная емкость:

4760пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61748 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"