Одиночные MOSFET транзисторы

252
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (252)
FDMS86300DC FDMS86300DC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 24A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
3.1 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
101нКл
Входная емкость:
7005пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 162,23
FDMS86350ET80 FDMS86350ET80 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 80A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
25A
Сопротивление открытого канала:
2.4 мОм
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
155нКл
Входная емкость:
10680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 868 шт
Цена от:
от 229,48
FDP025N06 FDP025N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм
Мощность макс.:
395Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
226нКл
Входная емкость:
14885пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
10 шт
Цена от:
от 922,04
FDP032N08 FDP032N08 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
3.2 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
220нКл
Входная емкость:
15160пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
300 шт
Цена от:
от 341,22
FDP047N08 FDP047N08 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 164A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
164A
Сопротивление открытого канала:
4.7 мОм
Мощность макс.:
268Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
152нКл
Входная емкость:
9415пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 163,42
FDP054N10 FDP054N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
5.5 мОм
Мощность макс.:
263Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
203нКл
Входная емкость:
13280пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 292,57
FDP120N10 FDP120N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 74A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
74A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
5605пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 233,27
IRF820APBF IRF820APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 050 шт
Цена от:
от 98,74
SI2325DS-T1-GE3 SI2325DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 530мА
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
530мА
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
7 003 шт
Аналоги:
6 773 шт
Цена от:
от 27,36
SI4100DY-T1-GE3 SI4100DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6.8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.8A
Сопротивление открытого канала:
63 мОм
Мощность макс.:
6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 85,13
SI7174DP-T1-GE3 SI7174DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
2770пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 197,94
SI7450DP-T1-E3 SI7450DP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
80 мОм
Мощность макс.:
1.9Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
42нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 77,37
STB100N10F7 STB100N10F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
4369пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 187,39
STB10NK60ZT4 STB10NK60ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
750 мОм
Мощность макс.:
115Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
1370пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 106,33
STB14NK60ZT4 STB14NK60ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
13.5A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
75нКл
Входная емкость:
2220пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 546,08
STB9NK50ZT4 STB9NK50ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 7.2A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
7.2A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
910пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Цена от:
от 95,44
STD100N10F7 STD100N10F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
4369пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 972 шт
Цена от:
от 54,17
STD1HN60K3 STD1HN60K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1.2A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
8 Ом
Мощность макс.:
27Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
9.5нКл
Входная емкость:
140пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 113,66
STD25N10F7 STD25N10F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 25A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
25A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
920пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 893 шт
Цена от:
от 45,25
STD2HNK60Z-1 STD2HNK60Z-1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
IPAK (TO-251)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
4.8 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
280пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 500 шт
Цена от:
от 68,99
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.40992 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"