Одиночные MOSFET транзисторы

₁₃₈

Пороговое напряжение включения макс.: 1В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (138)

NTR2101PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 8В 3.7А 0.96Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Напряжение сток-исток макс.:

8В

Ток стока макс.:

3.7А

Сопротивление открытого канала:

52 мОм

Мощность макс.:

960мВт

Тип транзистора:

P-канальный

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

1173пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR3A30PZT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.9A 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

38 мОм

Мощность макс.:

480мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

17.6нКл

Входная емкость:

1651пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTZS3151PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 860мА

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-563-6

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

860мА

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

170мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

5.6нКл

Входная емкость:

458пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

RZM002P02T2L Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 0.2A VMT3

Производитель:

ROHM

Корпус:

VMT3

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

200мА

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

150мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.2V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

1.4нКл

Входная емкость:

115пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1012CR-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 630мА

Производитель:

Vishay

Корпус:

SC-75A

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

630мА

Сопротивление открытого канала:

396 мОм

Мощность макс.:

240мВт

Тип транзистора:

N-канальный

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

2нКл

Входная емкость:

43пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1062X-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В

Производитель:

Vishay

Корпус:

SC-89

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Сопротивление открытого канала:

420 мОм

Мощность макс.:

220мВт

Тип транзистора:

N-канальный

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

2.7нКл

Входная емкость:

43пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1427EDH-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-363 (SC-88)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

64 мОм

Мощность макс.:

2.8Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

21нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1441EDH-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-363

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

41 мОм

Мощность макс.:

2.8Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

33нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1442DH-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 12В 4A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-363 (SC-88)

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

20 мОм

Мощность макс.:

2.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

33нКл

Входная емкость:

1010пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2301CDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.1A

Сопротивление открытого канала:

112 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

405пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

35 837 шт

Цена от:

от 0,97₽

SI2312CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

31.8 мОм

Мощность макс.:

2.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

865пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2323CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

39 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

1090пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

4 880 шт

Цена от:

от 3,42₽

SI2323DDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

5.3A

Сопротивление открытого канала:

39 мОм

Мощность макс.:

1.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

1160пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

4 880 шт

Цена от:

от 3,42₽

SI2333CDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 7.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

7.1A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

1225пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2333CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 7.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

7.1A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

1225пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2333DDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

1.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1275пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2333DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 4.1A SOT23-3

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

4.1A

Сопротивление открытого канала:

32 мОм

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

1100пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2365EDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.9A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-236

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

5.9A

Сопротивление открытого канала:

32 мОм

Мощность макс.:

1.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

36нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2377EDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.4A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

4.4A

Сопротивление открытого канала:

61 мОм

Мощность макс.:

1.8Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

21нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

102 389 шт

Цена от:

от 1,12₽

SI3433CDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

38 мОм

Мощность макс.:

3.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"