Одиночные MOSFET транзисторы

138
Пороговое напряжение включения макс.:
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (138)
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 7.9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
7.9A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
666пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI3473CDV-T1-E3 SI3473CDV-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
4.2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
2010пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
4.2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
2010пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 13.4A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
13.4A
Сопротивление открытого канала:
15.5 мОм
Мощность макс.:
5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
90нКл
Входная емкость:
2380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4838BDY-T1-GE3 SI4838BDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 12В 34A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
34A
Сопротивление открытого канала:
2.7 мОм
Мощность макс.:
5.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
5760пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI8812DB-T2-E1 SI8812DB-T2-E1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В
Производитель:
Vishay
Корпус:
Microfoot4
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Сопротивление открытого канала:
59 мОм
Мощность макс.:
500мВт
Тип транзистора:
N-канальный
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI8817DB-T2-E1 SI8817DB-T2-E1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В
Производитель:
Vishay
Корпус:
Microfoot4
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Сопротивление открытого канала:
76 мОм
Мощность макс.:
500мВт
Тип транзистора:
P-канальный
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
615пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIA413DJ-T1-GE3 SIA413DJ-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
29 мОм
Мощность макс.:
19Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
57нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIA429DJT-T1-GE3 SIA429DJT-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
20.5 мОм
Мощность макс.:
19Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
1750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIA461DJ-T1-GE3 SIA461DJ-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
17.9Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB16NF06LT4 STB16NF06LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 16A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
345пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 60A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB70NF3LLT4 STB70NF3LLT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 70A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
70A
Сопротивление открытого канала:
9.5 мОм
Мощность макс.:
100Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
33нКл
Входная емкость:
1650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB80NF55L-06T4 STB80NF55L-06T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
136нКл
Входная емкость:
4850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD16NF06LT4 STD16NF06LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 24A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7.5нКл
Входная емкость:
370пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD30PF03LT4 STD30PF03LT4 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 24А 70Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
28нКл
Входная емкость:
1670пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD35NF06LT4 STD35NF06LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
17 мОм
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
33нКл
Входная емкость:
1700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
STL140N4LLF5 STL140N4LLF5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 140A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
PowerFLAT 5x6
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
140A
Сопротивление открытого канала:
2.75 мОм
Мощность макс.:
4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
5900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STL40N75LF3 STL40N75LF3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 40A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
PowerFLAT 5x6
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
62Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
STL6N3LLH6 STL6N3LLH6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
PowerFLAT 2x2
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
3.6нКл
Входная емкость:
283пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"