Одиночные MOSFET транзисторы

₃₅₉

Пороговое напряжение включения макс.: 3В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (359)

FDD5614P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 15A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

24нКл

Входная емкость:

759пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6612A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 9.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

9.5A

Сопротивление открытого канала:

20 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

9.4нКл

Входная емкость:

660пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6630A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

7нКл

Входная емкость:

462пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDD6635 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 35В 59А 0.010 Ом

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

35В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

10 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

1400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6670A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 15A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

1755пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6680AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 55A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

55A

Сопротивление открытого канала:

10.5 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6690A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

12 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

1230пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8444L_F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

5.2 мОм

Мощность макс.:

153Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

5530пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8451 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

24 мОм

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

990пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDFS2P106A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Diode (Isolated)

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

21нКл

Входная емкость:

714пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDG315N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-363

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

480мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

4нКл

Входная емкость:

220пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDG316P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-363

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

480мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

5нКл

Входная емкость:

165пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA530PZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 6.8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

MicroFET 2x2

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

6.8A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

24нКл

Входная емкость:

1070пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA7670 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

6-MLP (2x2)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

15 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

1360пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC4435BZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

MLP (3.3x3.3)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

8.5A

Сопротивление открытого канала:

20 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

46нКл

Входная емкость:

2045пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC5614P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 5.7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-Power33 (3x3)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

5.7A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

2.1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

1055пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC6675BZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 9.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

MLP (3.3x3.3)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

9.5A

Сопротивление открытого канала:

14.4 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

2865пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC6679AZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power33

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

11.5A

Сопротивление открытого канала:

10 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

91нКл

Входная емкость:

3970пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC7570S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 40A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power33

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

27A

Сопротивление открытого канала:

2 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

68нКл

Входная емкость:

4410пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC7664 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-MLP (3.3x3.3)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

18.8A

Сопротивление открытого канала:

4.2 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

76нКл

Входная емкость:

4865пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"