Одиночные MOSFET транзисторы

185
Напряжение сток-исток макс.: 150В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (185)
FDS86252 FDS86252 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 4.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
55 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
955пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQA28N15 FQA28N15 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33А 227Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
227Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA36P15 FQA36P15 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 36А 294Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
36A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
294Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
105нКл
Входная емкость:
3320пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA46N15 FQA46N15 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 50A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
42 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FQB46N15 FQB46N15 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 45А 210Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
45A
Мощность макс.:
210Вт
Тип транзистора:
N-канал
FQD5N15TM FQD5N15TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
4.3A
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
230пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQP45N15V2 FQP45N15V2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 45A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
45A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
220Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
94нКл
Входная емкость:
3030пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP46N15 FQP46N15 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 45.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
45.6A
Сопротивление открытого канала:
42 мОм
Мощность макс.:
210Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPA075N15N3GXKSA1 IPA075N15N3GXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 43A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
43А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPB530N15N3GATMA1 IPB530N15N3GATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 21A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
21А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD530N15N3GATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 21A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
21А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
IPI075N15N3GXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 100A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
100А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPI111N15N3GAKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 83A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
83А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPP075N15N3GXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 100A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
100А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPP076N15N5AKSA1 IPP076N15N5AKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
112А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPP111N15N3GXKSA1 IPP111N15N3GXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 83A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
83A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Through Hole
IPP530N15N3GXKSA1 IPP530N15N3GXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 21A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
21А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IRF3315PBF IRF3315PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 23A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
94Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
95нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF3415SPBF IRF3415SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 43A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
43A
Сопротивление открытого канала:
42 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
200нКл
Входная емкость:
2400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 103 шт
Цена от:
от 107,22
IRF6215SPBF IRF6215SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 13A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
860пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.45496 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"