Одиночные MOSFET транзисторы

279
Напряжение сток-исток макс.: 55В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (279)
AUIRFR9024NTRL AUIRFR9024NTRL Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 11A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
11A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
175 мОм @ 6.6А, 10В
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
19нКл @ 10В
Входная емкость:
350пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
-5% Акция
AUIRFZ24NS AUIRFZ24NS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
370пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFZ44N AUIRFZ44N Транзистор полевой MOSFET Auto Q101 N-канальный 55В 49А [TO-220AB]
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
49A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
17.5 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
94Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
63нКл @ 10В
Входная емкость:
1470пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRFZ44Z AUIRFZ44Z Транзистор полевой MOSFET Auto Q101 N-канальный 55В 51А [TO-220AB]
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
51A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
13.9 мОм @ 31А, 10В
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
43нКл @ 10В
Входная емкость:
1420пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRFZ44ZS AUIRFZ44ZS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 51A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
51A
Сопротивление открытого канала:
13.9 мОм
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
1420пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFZ48N AUIRFZ48N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 69A TO-220AB
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
69A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
14 мОм @ 40А, 10В
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 100 µA
Заряд затвора:
63нКл @ 10В
Входная емкость:
1900пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRFZ48Z AUIRFZ48Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 61A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
61A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
91Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
64нКл
Входная емкость:
1720пФ
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRL3705ZS AUIRL3705ZS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
2880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRLR014N AUIRLR014N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 10A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
140 мОм
Мощность макс.:
28Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7.9нКл
Входная емкость:
265пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRLR2905 AUIRLR2905 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
27 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
1700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
AUIRLR2905Z AUIRLR2905Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
13.5 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1570пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
220 шт
Цена от:
от 157,12
AUIRLR3705ZTR Транзистор полевой MOSFET N-канальный Si 55В 89A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
89А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
257 шт
Цена от:
от 203,92
AUIRLZ44Z AUIRLZ44Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 51A TO-220AB
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
51A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
13.5 мОм @ 31А, 10В
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В @ 250 µA
Заряд затвора:
36нКл @ 5В
Входная емкость:
1620пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
BSH111BKR BSH111BKR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 0.21A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
0.21A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
BTS244ZE3043AKSA2 BTS244ZE3043AKSA2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 35A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-5
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Temperature Protection
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK6217-55C,118 BUK6217-55C,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 44A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
44A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
33.8нКл
Входная емкость:
1950пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK7215-55A,118 BUK7215-55A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 55A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
55A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
115Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
2107пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK7219-55A,118 BUK7219-55A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 55A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
55A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
114Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
2108пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK7277-55A,118 BUK7277-55A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 18A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
77 мОм
Мощность макс.:
51Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
422пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK7608-55A,118 BUK7608-55A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A D2PAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
8 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
254Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 1mA
Заряд затвора:
76нКл @ 0В
Входная емкость:
4352пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"