Одиночные MOSFET транзисторы

1863
Тип монтажа: Through Hole
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1863)
SPP24N60C3XKSA1 SPP24N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24.3A TO-220
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
24.3A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
160 мОм @ 15.4А, 10В
Мощность макс.:
240Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В @ 1.2mA
Заряд затвора:
135нКл @ 10В
Входная емкость:
3000пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
SPP80P06PHXKSA1 SPP80P06PHXKSA1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 80A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
80А
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
SPU02N60C3BKMA1 SPU02N60C3BKMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-251 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
1.8А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
SPU02N60S5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1.8A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO251-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
1.8A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
9.5нКл
Входная емкость:
240пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SPW15N60C3FKSA1 SPW15N60C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
15А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
SPW21N50C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
21А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
SPW32N50C3FKSA1 SPW32N50C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 560В 32A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
560В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
284Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
170нКл
Входная емкость:
4200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SPW35N60CFDFKSA1 SPW35N60CFDFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 34.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
34.1А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
SPW47N60CFDFKSA1 SPW47N60CFDFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
46А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
SPW47N65C3FKSA1 SPW47N65C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
47А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
SSN1N45BTA SSN1N45BTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 450В 500мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
450В
Ток стока макс.:
500мА
Сопротивление открытого канала:
4.25 Ом
Мощность макс.:
900мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
8.5нКл
Входная емкость:
240пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STD12NF06L-1 STD12NF06L-1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A IPAK
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
I-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
12A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
100 мОм @ 6А, 10В
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 250 µA
Заряд затвора:
10нКл @ 5В
Входная емкость:
350пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
STD1NK60-1 STD1NK60-1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
8.5 Ом
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
156пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STD1NK80Z-1 STD1NK80Z-1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
16 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
7.7нКл
Входная емкость:
160пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STD2HNK60Z-1 STD2HNK60Z-1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
IPAK (TO-251)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
4.8 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
280пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STD3NK60Z-1 STD3NK60Z-1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.4A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
11.8нКл
Входная емкость:
311пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 2.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
4.5 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
485пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STD4NK50Z-1 STD4NK50Z-1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
2.7 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
310пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STD4NK60Z-1 STD4NK60Z-1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4A 3-Pin(3+Tab) IPAK туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STD4NK80Z-1 STD4NK80Z-1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
22.5нКл
Входная емкость:
575пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"