Одиночные MOSFET транзисторы

179
Напряжение сток-исток макс.: 150В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (179)
IRFR18N15DTRRP IRFR18N15DTRRP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 18A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
18A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
125 мОм @ 11А, 10В
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
43нКл @ 10В
Входная емкость:
900пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRFR24N15DPBF IRFR24N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 24А 140Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
95 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
890пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
757 шт
Цена от:
от 48,91
IRFR4615PBF IRFR4615PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
42 мОм
Мощность макс.:
144Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 754 шт
Цена от:
от 39,30
Акция
IRFR6215PBF IRFR6215PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 13А 110Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
295 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
860пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 723 шт
Цена от:
от 44,38
IRFR6215TRRPBF IRFR6215TRRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 13A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
13A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
295 мОм @ 6.6А, 10В
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
66нКл @ 10В
Входная емкость:
860пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFS33N15DTRLP IRFS33N15DTRLP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
33A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
56 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
90нКл @ 10В
Входная емкость:
2020пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRFS4115PBF IRFS4115PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 195А 375Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
12.1 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
5270пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 469 шт
Цена от:
от 151,03
IRFS4115TRL7PP IRFS4115TRL7PP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 105A D2PAK-7
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
105A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
11.8 мОм @ 63А, 10В
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 10В
Входная емкость:
5320пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFS4321PBF IRFS4321PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 83A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
85A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
330Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4460пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFS4321TRL7PP IRFS4321TRL7PP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 86A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
86A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
14.7 мОм @ 34А, 10В
Мощность макс.:
350Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 10В
Входная емкость:
4460пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFS52N15DPBF IRFS52N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 51A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
51A
Сопротивление открытого канала:
32 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
89нКл
Входная емкость:
2770пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFS52N15DTRRP IRFS52N15DTRRP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 51A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
51A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
32 мОм @ 36А, 10В
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
89нКл @ 10В
Входная емкость:
2770пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFS5615TRLPBF IRFS5615TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
33A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
42 мОм @ 21А, 10В
Мощность макс.:
144Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 100 µA
Заряд затвора:
40нКл @ 10В
Входная емкость:
1750пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFU6215PBF IRFU6215PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 13A I-PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
13A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
295 мОм @ 6.6А, 10В
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
66нКл @ 10В
Входная емкость:
860пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IXFN400N15X3 IXFN400N15X3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 400A 695Вт 0,0025Ом SOT227B
Производитель:
Littelfuse
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
400А
Сопротивление открытого канала:
0.0025Ом
Мощность макс.:
695Вт
Тип транзистора:
N-канальный
PSMN030-150B,118 PSMN030-150B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 55.5A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
55.5A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
98нКл
Входная емкость:
3680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI2325DS-T1-GE3 SI2325DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 530мА
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
530мА
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
883 шт
Цена от:
от 34,79
SI3437DV-T1-GE3 SI3437DV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 1.4A
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
1.4A
Сопротивление открытого канала:
750 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI3440DV-T1-E3 SI3440DV-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 1.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
375 мОм
Мощность макс.:
1.14Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI3440DV-T1-GE3 SI3440DV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 1.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
375 мОм
Мощность макс.:
1.14Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"