Одиночные MOSFET транзисторы

₂₅₂

Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (252)

SUM90N10-8M2P-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 90A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

90A

Сопротивление открытого канала:

8.2 мОм

Мощность макс.:

3.75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

150нКл

Входная емкость:

6290пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

800 шт

Цена от:

от 176,99₽

ZVP0545GTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 450В 0.075A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

450В

Ток стока макс.:

75мА

Сопротивление открытого канала:

150 Ом

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Входная емкость:

120пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

4 000 шт

Цена от:

от 33,69₽

BSS127S-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.05A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-23

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

50мА

Сопротивление открытого канала:

160 Ом

Мощность макс.:

610мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

1.08нКл

Входная емкость:

21.8пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FCPF400N80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

400 мОм

Мощность макс.:

35.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

2350пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FCPF850N80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

850 мОм

Мощность макс.:

28.4Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1315пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDB024N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

2.4 мОм

Мощность макс.:

395Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

226нКл

Входная емкость:

14885пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB031N08 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

3.1 мОм

Мощность макс.:

375Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

220нКл

Входная емкость:

15160пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB047N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

4.7 мОм

Мощность макс.:

375Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

210нКл

Входная емкость:

15265пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB120N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 74A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

74A

Сопротивление открытого канала:

12 мОм

Мощность макс.:

170Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

86нКл

Входная емкость:

5605пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB150N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

57A

Сопротивление открытого канала:

15 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

69нКл

Входная емкость:

4760пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD2670 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

130 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

43нКл

Входная емкость:

1228пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDI150N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-262-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

57A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

69нКл

Входная емкость:

4760пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDMS3662 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 49А 0.148 Ом, 104Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

PQFN 5x6 mm

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

8.9A

Сопротивление открытого канала:

14.8 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

75нКл

Входная емкость:

4620пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86500DC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 29A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-PQFN (5x6), Power56

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

29A

Сопротивление открытого канала:

2.3 мОм

Мощность макс.:

3.2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

107нКл

Входная емкость:

7680пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP020N06B_F102 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

2 мОм

Мощность макс.:

333Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

268нКл

Входная емкость:

20930пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP030N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

3.2 мОм

Мощность макс.:

231Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

151нКл

Входная емкость:

9815пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP047N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

4.7 мОм

Мощность макс.:

375Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

210нКл

Входная емкость:

15265пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP090N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

208Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

116нКл

Входная емкость:

8225пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP100N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75А 0.01 Ом

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

10 мОм

Мощность макс.:

208Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

100нКл

Входная емкость:

7300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP150N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

57A

Сопротивление открытого канала:

15 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

69нКл

Входная емкость:

4760пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.40992 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"