Одиночные MOSFET транзисторы

₂₅₂

Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (252)

SI7430DP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 26A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

26A

Сопротивление открытого канала:

45 мОм

Мощность макс.:

64Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

43нКл

Входная емкость:

1735пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7430DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 26A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

26A

Сопротивление открытого канала:

45 мОм

Мощность макс.:

64Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

43нКл

Входная емкость:

1735пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7450DP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

80 мОм

Мощность макс.:

1.9Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

42нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7852ADP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 30A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

17 мОм

Мощность макс.:

62.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

1825пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR872ADP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 53.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

53.7A

Сопротивление открытого канала:

18 мОм

Мощность макс.:

104Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

47нКл

Входная емкость:

1286пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB100N10F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

61нКл

Входная емкость:

4369пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB10NK60ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

750 мОм

Мощность макс.:

115Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

70нКл

Входная емкость:

1370пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB11N52K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 525В 10A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

525В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

510 мОм

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

51нКл

Входная емкость:

1400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB11NK50ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 10А 125Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

520 мОм

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

68нКл

Входная емкость:

1390пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB13NK60ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

550 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

92нКл

Входная емкость:

2030пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB14NK60ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13.5A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

13.5A

Сопротивление открытого канала:

500 мОм

Мощность макс.:

160Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

75нКл

Входная емкость:

2220пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB4NK60ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

2 Ом

Мощность макс.:

70Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STB6N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

620В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

90Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

875пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB7NK80ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.5 Ом, 5.2A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

5.2A

Сопротивление открытого канала:

1.8 Ом

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

1138пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB9NK50ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 7.2A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

7.2A

Сопротивление открытого канала:

850 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

910пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB9NK60ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7А 125Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

950 мОм

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

53нКл

Входная емкость:

1110пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD100N10F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

120Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

61нКл

Входная емкость:

4369пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD1HN60K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1.2A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

1.2A

Сопротивление открытого канала:

8 Ом

Мощность макс.:

27Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

9.5нКл

Входная емкость:

140пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD1NK80Z-1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

16 Ом

Мощность макс.:

45Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

7.7нКл

Входная емкость:

160пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STD25N10F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 25A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

25A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

920пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61748 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"