Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
1863
Тип монтажа:
Through Hole
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1863)
STI4N62K3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В 3.8A I2PAK
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
I2PAK
Напряжение сток-исток макс.:
620В
Ток стока макс.:
3.8A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
2 Ом @ 1.9А, 10В
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В @ 50 µA
Заряд затвора:
22нКл @ 10В
Входная емкость:
550пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
STP100N10F7
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
4369пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP10LN80K5
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
8А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
STP10N60M2
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7.5A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
13.5нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP10P6F6
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
6.4нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP110N10F7
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 110A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
110A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
5500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP11NM60FD
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
450 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP11NM60ND
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10А 90Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
450 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
850пФ
Тип монтажа:
Through Hole
-6%
Акция
STP120N4F6
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
4.3 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
3850пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP12N120K5
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1.2кВ 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
1200В
Ток стока макс.:
12А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
STP12N65M5
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8.5А 70Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
8.5A
Сопротивление открытого канала:
430 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP12NK30Z
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 9A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
670пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP12NK80Z
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 10.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
10.5A
Сопротивление открытого канала:
750 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
87нКл
Входная емкость:
2620пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP12NM50
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12А 35Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
350 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP13N60M2
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
580пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP13N80K5
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 12A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
450 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
870пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP13N95K3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 10A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
1620пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP13NM60ND
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
109Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
24.5нКл
Входная емкость:
845пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP140N8F7
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 90A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
4.3 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
96нКл
Входная емкость:
6340пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP150N10F7
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 110A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
110A
Сопротивление открытого канала:
4.2 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
117нКл
Входная емкость:
8115пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62102 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара