Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)
P-Channel(1)

Тип монтажа

Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (44)

IRF7410GTRPBF Полевой транзистор P-канальный 12В 16A 8-SOIC Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ Заряд затвора: 91нКл Входная емкость: 8676пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7420PBF Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 11.5 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 11.5A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 3529пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7476TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 12В 15A 8-SOIC Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 15A(Ta) Сопротивление открытого канала: 8 мОм @ 15А, 4.5В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.9В @ 250 µA Заряд затвора: 40нКл @ 4.5В Входная емкость: 2550пФ @ 6В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7910TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 12В 10A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 15 мОм @ 8А, 4.5В Мощность макс.: 2Вт

Сообщить о поступлении

IRLR3802TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 12В 84A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 84A(Tc) Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм @ 15А, 4.5В Мощность макс.: 88Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.9В @ 250 µA Заряд затвора: 41нКл @ 5В Входная емкость: 2490пФ @ 6В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTGS3433T1G Транзистор полевой P-канальный 12В 2.35A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.35A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTJS3151PT1G Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 2.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 625мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 400mВ Заряд затвора: 8.6нКл Входная емкость: 850пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

NTJS3151PT2G Транзистор полевой P-канальный 12В 2.7А 0.625Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.7A(Ta) Сопротивление открытого канала: 60 мОм @ 3.3А, 4.5В Мощность макс.: 625мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 400mВ @ 100 µA Заряд затвора: 8.6нКл @ 4.5В Входная емкость: 850пФ @ 12В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTLJS2103PTBG Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 3.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-WDFN (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.2V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 1157пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMXB65UPEZ Транзистор полевой P-канальный 12В 3.2A 3-Pin DFN-D EP лента на катушке Производитель: NEXPERIA Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 72 мОм Мощность макс.: 317мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±8В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 634пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1442DH-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 12В 4A Производитель: Vishay Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 1010пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2315BDS-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 12В 3A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 715пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2333CDS-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 12В 7.1A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 7.1A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1225пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2333CDS-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 12В 7.1A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 7.1A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1225пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2333DDS-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 12В 6A Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1275пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2333DS-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 12В 4.1A SOT23-3 Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 32 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3473CDV-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 12В 8A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 4.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2010пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3473CDV-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 12В 8A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 4.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2010пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4838BDY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 12 В, 34 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 34A Сопротивление открытого канала: 2.7 мОм Мощность макс.: 5.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 84нКл Входная емкость: 5760пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI6423DQ-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 12В 8.2A Производитель: Vishay Корпус: TSSOP8 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 8.2A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 1.05Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 110нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"