Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)

Тип монтажа

Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (25)

IRFP4868PBF Транзистор полевой N-канальный 300В 70А 517Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 32 мОм Мощность макс.: 517Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 270нКл Входная емкость: 10774пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

604 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 451,07₽

BSP130,115 Транзистор полевой N-канальный 300В 350мА, 1.5Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 350мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Входная емкость: 120пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

139 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 459,57₽

IRFB4137PBF Транзистор полевой N-канальный 300В 38A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 69 мОм Мощность макс.: 341Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 125нКл Входная емкость: 5168пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

27 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 370,49₽

IRFP4137PBF Транзистор полевой N-канальный 300В 38А 341Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 69 мОм Мощность макс.: 341Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 125нКл Входная емкость: 5168пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

72 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 688,50₽

STY60NK30Z Транзистор полевой N-канальный 300В 60А 450Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: MAX247 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 450Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 220нКл Входная емкость: 7200пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

5 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 1 149,51₽

AOT12N30L MOSFET N CH 300V 11.5A TO220 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 11.5A(Tc) Сопротивление открытого канала: 420 мОм @ 6А, 10В Мощность макс.: 132Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 250 µA Заряд затвора: 16нКл @ 10В Входная емкость: 790пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

BSP230,135 Транзистор полевой P-канальный 300В 210мА, 1.5Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 210мА Сопротивление открытого канала: 17 Ом Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.55В Входная емкость: 90пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDA38N30 Транзистор полевой N-канальный 300В Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 85 мОм Мощность макс.: 312Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDA59N30 Транзистор полевой N-канальный 300В 59A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 59A Сопротивление открытого канала: 56 мОм Мощность макс.: 500Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 4670пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDB14N30TM Полевой транзистор, N-канальный, 300 В, 14 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 290 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1060пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB28N30TM Транзистор полевой N-канальный 300В 28A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 129 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 2250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FKP300A Транзистор полевой N-канальный 300В 30А 85Вт Производитель: Sanken Semiconductors Корпус: TO-3PF Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Входная емкость: 3800пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQD7N30TM Полевой транзистор, N-канальный, 300 В, 5.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 700 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 610пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP14N30 Транзистор полевой N-канальный 300В 14.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 14.4A Сопротивление открытого канала: 290 мОм Мощность макс.: 147Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1360пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP22N30 Транзистор полевой N-канальный 300В 21А 170Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP3N30 Транзистор полевой N-канальный 300В 3.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 230пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP9N30 Полевой транзистор, N-канальный, 300 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 98Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 750пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFP4242PBF Полевой транзистор, N-канальный, 300В 46А 430Вт (Replacement: IRFB4137PBF) Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 59 мОм Мощность макс.: 430Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 247нКл Входная емкость: 7370пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IXFH88N30P Транзистор полевой N-канальный 300В 88A Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247AD (IXFH) Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 88A(Tc) Сопротивление открытого канала: 40 мОм @ 44А, 10В Мощность макс.: 600Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 4mA Заряд затвора: 180нКл @ 10В Входная емкость: 6300пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IXFK160N30T Транзистор полевой N-канальный 300В 160A TO-264 Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-264 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 160A(Tc) Сопротивление открытого канала: 19 мОм @ 60А, 10В Мощность макс.: 1390Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 8mA Заряд затвора: 335нКл @ 10В Входная емкость: 28000пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"