Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
FDD5N50TM
Транзистор полевой N-канальный 500В 4А 40Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 4A
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: N-канал
FDD6N50FTM
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5.5 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 5.5A
Сопротивление открытого канала: 1.15 Ом
Мощность макс.: 89Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 19.8нКл
Входная емкость: 960пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDD6N50TM
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A DPAK
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D-Pak
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 6A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 900 мОм @ 3А, 10В
Мощность макс.: 89Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA
Заряд затвора: 16.6нКл @ 10В
Входная емкость: 9400пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
FDD6N50TM-F085
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 6 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 900 мОм
Мощность макс.: 89Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 16.6нКл
Входная емкость: 9400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDD6N50TM-WS
Транзистор полевой N-канальный 500В 6A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 900 мОм
Мощность макс.: 89Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 16.6нКл
Входная емкость: 9400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDD8N50NZ
Транзистор полевой N-канальный 500В 6.5А 90Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 6.5A
Мощность макс.: 90Вт
Тип транзистора: N-канал
FDH44N50
Транзистор полевой N-канальный 500В 44A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 44A
Сопротивление открытого канала: 120 мОм
Мощность макс.: 750Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 108нКл
Входная емкость: 5335пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDH45N50F_F133
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 45 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 45A
Сопротивление открытого канала: 120 мОм
Мощность макс.: 625Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 137нКл
Входная емкость: 6630пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDL100N50F
Транзистор полевой N-канальный 500В 100A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO264
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 100A
Сопротивление открытого канала: 55 мОм
Мощность макс.: 2500Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 238нКл
Входная емкость: 12000пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDP12N50NZ
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 11.5 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 11.5A
Сопротивление открытого канала: 520 мОм
Мощность макс.: 170Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 1235пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDP18N50
Транзистор полевой N-канальный 500В 18А 235Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 265 мОм
Мощность макс.: 235Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 60нКл
Входная емкость: 2860пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDP20N50
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 20 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 20A
Сопротивление открытого канала: 230 мОм
Мощность макс.: 250Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 59.5нКл
Входная емкость: 3120пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDP22N50N
Транзистор полевой N-канальный 500В 22A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 22A
Сопротивление открытого канала: 220 мОм
Мощность макс.: 312.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 65нКл
Входная емкость: 3200пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDP5N50NZ
Транзистор полевой N-канальный 500В 4.5A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 4.5A
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 78Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 12нКл
Входная емкость: 440пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDP8N50NZ
Транзистор полевой N-канальный 500В
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 8A
Сопротивление открытого канала: 850 мОм
Мощность макс.: 139Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 735пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDPF12N50FT
Транзистор полевой N-канальный 500В 11.5A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 11.5A
Сопротивление открытого канала: 700 мОм
Мощность макс.: 42Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 1395пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDPF12N50UT
Полевой транзистор, N-канальный, 500В 10А 42Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 800 мОм
Мощность макс.: 42Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 1395пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDPF16N50
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 16 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Мощность макс.: 38.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 45нКл
Входная емкость: 1945пФ
Тип монтажа: Through Hole
FDPF18N50
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 18A TO-220F, 38Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Тип транзистора: N-канал
FDPF18N50T
Транзистор полевой N-канальный 500В 18A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 265 мОм
Мощность макс.: 38.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 60нКл
Входная емкость: 2860пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России и Беларуси
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.