Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (58)
2SK3114 2SK3114 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4А 30Вт
Производитель:
Nippon Electric Comp. Ltd.
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4A
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
75 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 16,26
Акция
IPP80R1K4P7XKSA1 IPP80R1K4P7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
32Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
143 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 34,68
Акция
PMV32UP,215 PMV32UP,215 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4А 0.93Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
510мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
950mВ
Заряд затвора:
15.5нКл
Входная емкость:
1890пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
270 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 5,64
STD4NK60ZT4 STD4NK60ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4А 70Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
4 637 шт

Внешние склады:
4 450 шт
Аналоги:
63 шт
Цена от:
от 24,24
STFW4N150 STFW4N150 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 4А 63Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-3PF
Напряжение исток-сток макс.:
1500В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
7 Ом
Мощность макс.:
63Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
929 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 267,72
STN3NF06L STN3NF06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 4А 3.3Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
3.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
9нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 611 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 23,22
STP4N150 STP4N150 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 4А 160Вт, 5 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
1500В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
7 Ом
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
150 шт

Внешние склады:
5 шт
Цена от:
от 204,48
STP4NK60ZFP STP4NK60ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4А 25Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 758 шт

Внешние склады:
70 шт
Аналоги:
1 868 шт
Цена от:
от 35,04
STW4N150 STW4N150 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 4А 160Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
1500В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
7 Ом
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 489 шт

Внешние склады:
489 шт
Цена от:
от 125,16
2SK2647 2SK2647 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4А 40Вт
Производитель:
Fujitsu Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
4A
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
8 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 93,66
Акция
2SK3798 2SK3798 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 4А 40Вт
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
4A
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
24 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 69,84
Акция
IPU80R1K4P7AKMA1 IPU80R1K4P7AKMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
32Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
10.05нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
35 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
150 шт
Цена от:
от 25,98
STP4NK60Z STP4NK60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4А 70Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
13 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 58,08
2SK3748-1E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3PF-3
Напряжение исток-сток макс.:
1500В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
7 Ом
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
790пФ
Тип монтажа:
Through Hole
AO3401A AO3401A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4А 1,4Вт
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
44 мОм
Мощность макс.:
1.4Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.3В
Заряд затвора:
12.2нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
30 976 шт
Цена от:
от 1,92
AO3434A AO3434A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 4A 3-Pin SOT-23
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
1.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
245пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CPH6354-TL-W Транзистор полевой MOSFET P-канальный -60В -4A 100мОм
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
4A
Тип транзистора:
P-канал
Акция
DMG3402L-7 DMG3402L-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 4A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
1.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.4В
Заряд затвора:
11.7нКл
Входная емкость:
464пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMG3415U-7 DMG3415U-7 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
39 мОм
Мощность макс.:
900мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
9.1нКл
Входная емкость:
294пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMG3418L-7 DMG3418L-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 4A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
1.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
5.5нКл
Входная емкость:
464.3пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71808 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"