Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

2P-канал(1)
N-Channel(3)
P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)

Тип монтажа

Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (72)

DMN4020LFDE-7 Полевой транзистор N-канальный 40В 8A автомобильного применения 6-Pin UDFN EP лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: uDFN6 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 660мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 19.1нКл Входная емкость: 1060пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB2532 Транзистор полевой N-канальный 150В 79A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 107нКл Входная емкость: 5870пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD86102 Транзистор полевой N-канальный 100В 8А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 1035пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD86102LZ Транзистор полевой N-канальный 100В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 22.5 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 1540пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD86250 Транзистор полевой N-канальный 150В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 2110пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD86326 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 1035пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDME910PZT Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6(1.6x1.6) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 2110пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP8N50NZ Транзистор полевой N-канальный 500В Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 850 мОм Мощность макс.: 139Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 735пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDPF8N50NZ Транзистор полевой N-канальный 500В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 850 мОм Мощность макс.: 40.3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 735пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDS5680 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1850пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6375 Транзистор полевой P-канальный 20В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 2694пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQA8N100C Транзистор полевой N-канальный 1000В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.45 Ом Мощность макс.: 225Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 3220пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FQAF13N80 Транзистор полевой N-канальный 800В 8А 120Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3PF Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 88нКл Входная емкость: 3500пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQB8P10TM Полевой транзистор, P-канальный, 100 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 530 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 470пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQH8N100C Полевой транзистор, N-канальный, 1000 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.45 Ом Мощность макс.: 225Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 3220пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP8N80C Транзистор полевой N-канальный 800В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.55 Ом Мощность макс.: 178Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2050пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP8P10 Транзистор полевой P-канальный 100В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 530 мОм Мощность макс.: 65Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 470пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP9N90C Транзистор полевой N-канальный 900В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 205Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 2730пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF8N80C Транзистор полевой N-канальный 800В 8А 59Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.55 Ом Мощность макс.: 59Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2050пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF8N80CYDTU Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.55 Ом Мощность макс.: 59Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2050пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"