Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)
P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)

Тип монтажа

Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)
Through Hole(1494)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (62)

Акция

IRFR3910PBF Транзистор полевой N-канальный 100В 16А 52Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 115 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 640пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 475 шт

Цена от:

от 17,41₽

IRFU3910PBF Транзистор полевой N-канальный 100В 16A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 115 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 640пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

NTMFS4833NT1G Транзистор полевой N-канальный 30В 16A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 910мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 88нКл Входная емкость: 5600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMFS4852NT1G Транзистор полевой N-канальный 30В 16A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 2.1 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 71.3нКл Входная емкость: 4970пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFD16N05LSM9A Транзистор полевой N-канальный 50В 16A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 80нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFD16N05SM9A Транзистор полевой N-канальный 50В 16A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 72Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFD16N06LESM9A Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 16 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7716ADN-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 16A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм Мощность макс.: 27.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 846пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7812DN-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 16 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 37 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 840пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI8406DB-T2-E1 Транзистор полевой N-канальный 20В 16A Производитель: Vishay Корпус: 6-Micro Foot[тм] Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 13Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 850mВ Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 830пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI8416DB-T2-E1 Полевой транзистор, N-канальный, 8 В, 16 А Производитель: Vishay Корпус: 6-Micro Foot[тм] Напряжение исток-сток макс.: 8В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 13Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 1470пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI8483DB-T2-E1 Транзистор полевой P-канальный 12В 16A Производитель: Vishay Корпус: 6-Micro Foot[тм] Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 13Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 1840пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI8499DB-T2-E1 Транзистор полевой P-канальный 20В 16A Производитель: Vishay Корпус: 6-Micro Foot[тм] Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 32 мОм Мощность макс.: 13Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.3В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHG16N50C-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 16 А Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 68нКл Входная емкость: 1900пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SIS438DN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 16 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм Мощность макс.: 27.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 880пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPA16N50C3XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 560В 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 560В Ток стока макс.: 16A Тип транзистора: N-канал

Сообщить о поступлении

STB16NF06LT4 Транзистор полевой N-канальный 60В 16A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 345пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB22NM60N Транзистор полевой N-канальный 600В 16A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 220 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STF22NM60N Транзистор полевой N-канальный 600В 16A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220FP Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 220 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STP16NF06L Транзистор полевой N-канальный 60В 16A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 345пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"