Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (19)
IRFP4868PBF Транзистор полевой N-канальный 300В 70А 517Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 32 мОм Мощность макс.: 517Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 270нКл Входная емкость: 10774пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
604 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 451,07
ATP302-TL-H Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 70 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: ATPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Заряд затвора: 115нКл Входная емкость: 5400пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDA70N20 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 70 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 417Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 3970пФ Тип монтажа: Through Hole
FDD8445 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 70 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 8.7 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 4050пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция FQA70N10 Транзистор полевой N-канальный 100В 70А 214Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 214Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 3300пФ Тип монтажа: Through Hole
FQA70N15 Транзистор полевой N-канальный 150В 70A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 175нКл Входная емкость: 5400пФ Тип монтажа: Through Hole
IPB70N10S3L12ATMA1 Транзистор полевой N-канальный 100В 70A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 70A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive
IRFP048PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 70A Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFP054PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 70A Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 4500пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFP064PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 70А 300Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 190нКл Входная емкость: 7400пФ Тип монтажа: Through Hole
PSMN2R4-30MLDX Полевой транзистор N-канальный 30В 70A 8-Pin LFPAK EP лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм Мощность макс.: 91Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 4.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 3264пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN2R9-30MLC,115 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 70 А Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 2.9 мОм Мощность макс.: 91Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 4.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 2.15В Заряд затвора: 36.1нКл Входная емкость: 2419пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN7R8-120PSQ Транзистор полевой N-канальный 120В 70A Производитель: NEXPERIA Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 120В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 7.9 мОм Мощность макс.: 349Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 167нКл Входная емкость: 9473пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция RFP70N06 Транзистор полевой N-канальный 70А 60В, 150Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 156нКл Входная емкость: 2250пФ Тип монтажа: Through Hole
STB70NF3LLT4 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 70 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 1650пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD70NS04ZL Полевой транзистор N-канальный 33В 70A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 33В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 10.5 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD80N10F7 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 70 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 3100пФ Тип монтажа: Surface Mount
STL70N4LLF5 Транзистор полевой 40В 70A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount
STL90N10F7 Транзистор полевой N-канальный 100В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 10.5 мОм Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 3550пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"