Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

2P-канал(1)
N-Channel(3)
P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)

Тип монтажа

Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (44)

DMP32D4S-13 Транзистор полевой P-канальный 30В 0.3A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 300мА Сопротивление открытого канала: 2.4 Ом Мощность макс.: 370мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 0.6нКл Входная емкость: 51.16пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF9310PBF Транзистор полевой P-канальный 30В 20А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 4.6 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 165нКл Входная емкость: 5250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

33 333 шт

Цена от:

от 20,71₽

Акция

IRF9317PBF Транзистор полевой P-канальный 30В 16A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 6.6 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 92нКл Входная емкость: 2820пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

9 203 шт

Цена от:

от 65,26₽

Акция

IRF9328PBF Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 12 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 11.9 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт.

Под заказ:

0 шт.

Аналоги:

1 509 шт.

Цена от:

от 126,07₽

Акция

IRF9333PBF Транзистор полевой P-канальный 30В 9.2А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: Multiwatt Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9.2A Сопротивление открытого канала: 19.4 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1110пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF9333TRPBF Транзистор полевой P-канальный 30В 9.2А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9.2A Сопротивление открытого канала: 19.4 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1110пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF9388PBF Транзистор полевой P-канальный 30В 12A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

MMBF0201NLT1G Транзистор полевой N-канальный 20В 300мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 300мА Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 225мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Входная емкость: 45пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

MMBF2201NT1G Транзистор полевой N-канальный 20В 300мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 300мА Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 150мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Входная емкость: 45пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4160DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 25.4 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 25.4A Сопротивление открытого канала: 4.9 мОм Мощность макс.: 5.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 54нКл Входная емкость: 2071пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4166DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 30.5 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 30.5A Сопротивление открытого канала: 3.9 мОм Мощность макс.: 6.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2730пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4186DY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 20В 35.8A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 35.8A Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм Мощность макс.: 6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 90нКл Входная емкость: 3630пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR172ADP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 24A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 29.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 1515пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR418DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 40 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 5 мОм Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 75нКл Входная емкость: 2410пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR460DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 40 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 4.7 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 54нКл Входная емкость: 2071пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR466DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 40 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм Мощность макс.: 54Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2730пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD50N03-06AP-E3 Транзистор полевой N-канальный 30В 90A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 5.7 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 3800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZVN2106GTA Транзистор полевой N-канальный 60В 0.71A Aвтомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 710мА Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Входная емкость: 75пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

ZVN2110A Транзистор полевой N-канальный 100В 320мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 320мА Сопротивление открытого канала: 4 Ом Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Входная емкость: 75пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

ZVN2110GTA Транзистор полевой N-канальный 100В 500мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 500мА Сопротивление открытого канала: 4 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Входная емкость: 75пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"