Одиночные MOSFET транзисторы

21
Заряд затвора: 140нКл
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (21)
Акция
IRL2910PBF IRL2910PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 55А 200Вт, 0.026 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
55A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
3700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 049 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 124,16
Акция
IRFS4610TRLPBF IRFS4610TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 73A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
73A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
3550пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
951 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 174,86
Акция
IRFB4610PBF IRFB4610PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 73А 190Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
73A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
3550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
158 шт

Внешние склады:
992 шт
Цена от:
от 116,99
Акция
IRFP250PBF IRFP250PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 30А 190Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
2800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
136 шт

Внешние склады:
80 шт
Цена от:
от 97,26
Акция
IRL1404PBF IRL1404PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 160А 200Вт, 0.004 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
6590пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
132 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 159,33
IRFB42N20DPBF IRFB42N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 44А 300Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
44A
Сопротивление открытого канала:
55 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
3430пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
125 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 188,89
Акция
IRL2910STRLPBF IRL2910STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 55A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
55A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
3700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
100 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 153,78
Акция
IRFPC50PBF IRFPC50PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 180Вт, 0.6 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
180Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
2700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
60 шт

Внешние склады:
530 шт
Цена от:
от 221,30
Акция
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 190А 380Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2.4 мОм
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
11210пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
57 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 321,41
Акция
IRL3803PBF IRL3803PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 140А 150Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
140A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
5000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
43 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 115,71
AUIRL1404S AUIRL1404S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 160A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
6600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRLS4030-7P AUIRLS4030-7P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 190A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
190A
Сопротивление открытого канала:
3.9 мОм
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
11490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRFB61N15DPBF IRFB61N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 60А 330Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
32 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
3470пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFP150PBF IRFP150PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 41A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
41A
Сопротивление открытого канала:
55 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
2800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFS4610PBF IRFS4610PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 73А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
73A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
3550пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
951 шт
Цена от:
от 174,86
Акция
IRL2910SPBF IRL2910SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 55А 200Вт, 0.026 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
55A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
3700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
100 шт
Цена от:
от 153,78
Акция
IRLI2910PBF IRLI2910PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 31А, 48Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
63Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
3700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRLS4030-7PPBF IRLS4030-7PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 190А 370Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
190A
Сопротивление открытого канала:
3.9 мОм
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
11490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
495 шт
Цена от:
от 327,37
IRLSL3036PBF IRLSL3036PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2.4 мОм
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
11210пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
STP200NF03 STP200NF03 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 120A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
3.6 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
4950пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61748 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"