Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (11)
AUIRF3205Z Транзистор полевой N-канальный 55В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм @ 66А, 10В Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 10В Входная емкость: 3450пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
199 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 213,77
IRFS4229TRLPBF Транзистор полевой N-канальный 250В 45А 330Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 45A(Tc) Сопротивление открытого канала: 48 мОм @ 26А, 10В Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 10В Входная емкость: 4560пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
296 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 283,70
AUIRF3205ZSTRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм @ 66А, 10В Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 10В Входная емкость: 3450пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
FDP3632 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A TO-220AB Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 12A(Ta),80A(Tc) Сопротивление открытого канала: 9 мОм @ 80А, 10В Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 10В Входная емкость: 6000пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
IRF3205ZLPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм @ 66А, 10В Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 10В Входная емкость: 3450пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
IRF9540NLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 23A TO262-3 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 23A(Tc) Сопротивление открытого канала: 117 мОм @ 14А, 10В Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 10В Входная емкость: 1450пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
IRFI4410ZPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 43A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 43A(Tc) Сопротивление открытого канала: 9.3 мОм @ 26А, 10В Мощность макс.: 47Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 110нКл @ 10В Входная емкость: 4910пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole
IRFR2407TRLPBF Полевой транзистор N-канальный 75В 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 42A(Tc) Сопротивление открытого канала: 26 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 10В Входная емкость: 2400пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRFS4115TRL7PP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 105A D2PAK-7 Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO263-7 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 105A(Tc) Сопротивление открытого канала: 11.8 мОм @ 63А, 10В Мощность макс.: 380Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 10В Входная емкость: 5320пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount
IRFS4321TRL7PP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 86A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO263-7 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 86A(Tc) Сопротивление открытого канала: 14.7 мОм @ 34А, 10В Мощность макс.: 350Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 10В Входная емкость: 4460пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount
IRFU2405PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 56A I-PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: I-Pak Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 56A(Tc) Сопротивление открытого канала: 16 мОм @ 34А, 10В Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 10В Входная емкость: 2430пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"