Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (13)
AUIRFR120Z Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 8.7 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.7A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Surface Mount
CPH6445-TL-W Полевой транзистор N-канальный 60В 3.5A 6-Pin CPH лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-CPH Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 117 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 4V Drive Заряд затвора: 6.8нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC86116LZ Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 3.3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 103 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDN335N Транзистор полевой N-канальный 20В 1.7А 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: 3-SSOT Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD13N06TM Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 7.5нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQT13N06TF Транзистор полевой N-канальный 60В 2.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 7.5нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQT4N20LTF Транзистор полевой N-канальный 200В 0.85А 1.35 Ом Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 850мА Сопротивление открытого канала: 1.35 Ом Мощность макс.: 2.2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 5.2нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFD014PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 1.7А 1.3Вт, 0.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFR120ZPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 8.7А 35Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.7A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR120ZTRPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 8.7A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.7A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD4NK50Z-1 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 3 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 2.7 Ом Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция STD4NK50ZT4 Транзистор полевой N-канальный 500В 4A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 2.7 Ом Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Surface Mount
STP4NK50ZD Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 3 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 2.7 Ом Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"