Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)
P-Channel(1)

Тип монтажа

Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (22)

2SJ162 Транзистор полевой P-канальный 160В 7А 100Вт Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 160В Ток стока макс.: 7A Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: P-канал Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

115 шт

Под заказ:

30 шт

Цена от:

от 526,80₽

FQD17P06TM Транзистор полевой P-канальный 60В 12А 135 мОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 135 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP17P06 Транзистор полевой P-канальный 60В 17A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF9Z30PBF Транзистор полевой P-канальный 50В 18A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFR18N15DPBF Транзистор полевой N-канальный 150В 18A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR18N15DTRPBF Транзистор полевой N-канальный 150В 18A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLR8259PBF Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 57 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 57A Сопротивление открытого канала: 8.7 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLU8259PBF Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 57 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 57A Сопротивление открытого канала: 8.7 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

NTHS4166NT1G Транзистор полевой N-канальный 30В 4.9A Производитель: ON Semiconductor Корпус: ChipFET8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4.9A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFD16N05SM9A Транзистор полевой N-канальный 50В 16A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 72Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFP12N10L Транзистор полевой N-канальный 100В 12A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SI4056DY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 100В 11.1А 2.5Вт Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 11.1A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 5.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 29.5нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7456DDP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 27.8 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 27.8A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 35.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 29.5нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STD12N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 8.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 430 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STF15N95K5 Полевой транзистор, N-канальный, 950 В, 12 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STP11NM60FD Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 11 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STP12N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 8.5А 70Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 430 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STP15N95K5 Полевой транзистор, N-канальный, 950 В, 12 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STU12N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 8.5А 0.430 Ом Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 430 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STW15N95K5 Полевой транзистор, N-канальный, 950 В, 12 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"