Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

2P-канал(1)
N-Channel(3)
P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)

Тип монтажа

Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (39)

Акция

2N7002E-7-F Транзистор полевой N-канальный 60В 250мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 250мА Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 370мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 0.22нКл Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

2N7002E-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 60В 240мА Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 240мА Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 0.6нКл Входная емкость: 21пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN26D0UFB4-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 0.24A Aвтомобильного применения 3-Pin X2-DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 230мА Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Входная емкость: 14.1пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN26D0UT-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 0.23A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-523 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 230мА Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Входная емкость: 14.1пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN65D8L-7 Транзистор полевой N-канальный 60В 0.31A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 310мА Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 370мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 0.87нКл Входная емкость: 22пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF820ALPBF Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 2.5 А Производитель: Vishay Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF820APBF Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 2.5 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF820PBF Транзистор полевой N-канальный 500В 2.5А 50Вт, 3 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF820SPBF Транзистор полевой N-канальный 500В 2.5A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF820STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 500В 2.5A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF820STRRPBF Транзистор полевой N-канальный 500В 2.5A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF9610PBF Транзистор полевой P-канальный 100В 6.8А 60Вт, 0.6 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 20Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF9610SPBF Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 1.8 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBE30PBF Транзистор полевой N-канальный 800В 4.1А 125Вт, 3 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFBE30SPBF Транзистор полевой N-канальный 800В 4.1A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFD420PBF Транзистор полевой N-канальный 500В 370мА, 1Вт Производитель: Vishay Корпус: HVM DIP Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 370мА Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD9210PBF Транзистор полевой P-канальный 200В 0.4А 1.3Вт, 3.0 Ом Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 400мА Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.9нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFI820GPBF Транзистор полевой N-канальный 500В 2.1A Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFIBE30GPBF Транзистор полевой N-канальный 800В 2.1A Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Новинка

IRFPE30PBF Транзистор полевой N-канальный 800В 4.1A Производитель: Vishay Корпус: TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"