Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (30)
IRF7240TRPBF Транзистор полевой P-канальный 40В 10.5A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 10.5A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 9250пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
832 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
9 937 шт
Цена от:
от 186,51
IRF7493TRPBF Транзистор полевой N-канальный 80В 9.3A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 9.3A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 53нКл Входная емкость: 1510пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
5 497 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 94,96
Акция STP62NS04Z Транзистор полевой N-канальный 33В 62A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 33В Ток стока макс.: 62A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 47нКл Входная емкость: 1330пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
411 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 35,78
IRF8010PBF Транзистор полевой N-канальный 100В 80А 260Вт, 0.015 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 260Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 3830пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
100 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 118,05
IRFB4321PBF Транзистор полевой N-канальный 150В 83А 330Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 85A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 350Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4460пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
1 479 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 156,28
IRFPS3815PBF Транзистор полевой N-канальный 150В 105А 441Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: Super-247 (TO-274AA) Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 105A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 441Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 390нКл Входная емкость: 6810пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
444 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 554,07
STP80NF10 Транзистор полевой N-канальный 100В 80А 300Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 182нКл Входная емкость: 5500пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
160 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 271,81
STP80NF10FP Транзистор полевой N-канальный 100В 38А 300Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 189нКл Входная емкость: 4300пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
100 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 252,88
AOD4186 Транзистор полевой N-канальный 40В 35А 25Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK7215-55A,118 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 55 А Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 115Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 2107пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDB150N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 57 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 57A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 69нКл Входная емкость: 4760пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD5670 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 52 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 52A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 73нКл Входная емкость: 2739пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMA7670 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-MLP (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 1360пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDP150N10 Транзистор полевой N-канальный 100В 57A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 57A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 69нКл Входная емкость: 4760пФ Тип монтажа: Through Hole
FDP150N10A_F102 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 50 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 91Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 1440пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRF7240PBF Транзистор полевой P-канальный 40В 10.5А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 10.5A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 9250пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
10 769 шт
Цена от:
от 25,80
IRF7493PBF Транзистор полевой N-канальный 80В 9.2А 2.5Вт, 0.015 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 9.3A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 53нКл Входная емкость: 1510пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
5 497 шт
Цена от:
от 94,96
Акция IRF8010SPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 80A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 260Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 3830пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF8010STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 80A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 260Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 3830пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFB4228PBF Транзистор полевой N-канальный 150В 83A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 83A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 107нКл Входная емкость: 4530пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"